一种同时具有优秀电感值和 Ｑ 值特性的压控有源电感

提出了一种同时具有优秀电感值和Q值特性的新型压控有源电感（VCAI）,主要由回转器单元、Q值增强单元、调控补偿单元和噪声抑制单元等4个模块组成,其中回转器单元和调控补偿单元分别设置了两个外部调控电压。通过4个电路单元的相互配合和协同调节4个外部调控电压,使得VCAI不但具有高Q值、大电感值、低噪声,而且在不同工作频率下同时获得了大的电感峰值以及高的Q峰值,同时频带也可相对于电感峰值独立调谐。基于TSMC 0.13 μm CMOS进行工艺验证,结果表明,该VCAI在9.1 GHz的高频下,电感峰值和Q峰值可分别高达62052 nH和895.6;在9.4 GHz的高频下,电感峰值和Q峰值可分别高达55847 nH和861.2;工作频带可从6.12 GHz调谐到10.31 GHz,调谐比率高达68.46%,而电感峰值只在1271.1 nH ~ 1271.2 nH之间变化,变化率仅为0.0079%;最大噪声仅为3.61 nV/。     

缓蚀剂对镁合金AZ91D缓蚀行为分析

为了提高镁合金在腐蚀环境中的耐蚀能力,文中研究了两种无机型缓蚀剂偏钒酸钠(NaVO₃)与磷酸钠(Na₃PO₄)对镁合金AZ91D的缓蚀效果及机理,分析了在质量分数w(NaCl)=3.5%溶液中添加浓度为3 g·L^-1两种缓蚀剂对镁合金AZ91D表面成膜微观组织的影响,并通过浸泡失重实验及电化学测试对其缓蚀行为及机理进行研究。实验结果表明：两种缓蚀剂对镁合金AZ91D均有很好的缓蚀效果,在加入两种缓蚀剂的NaCl溶液中浸泡24 h后自腐蚀电位(E_corr)正移,腐蚀电流密度(I_corr)下降,交流阻抗提升2～3倍,NaVO₃表现出更为优异的缓蚀效果,浸泡失重所得平均腐蚀速率下降约80%。     

一种性能多种重构的高频压控有源电感

提出了一种性能多种重构的高频压控有源电感(HFVCAI).电路主要由第一回转回路、第二回转回路以及调控支路构成,且第一回转回路和第二回转回路并联,调控支路与第一回转回路连接,两个回转回路均配置了外部调控端.通过协同调节3个外部调控端,可对HFVCAI的性能进行3种重构:在高频工作区能够对电感值进行大范围调控,且同时能保...     

FeCrNiMnZrx高熵合金组织与力学性能研究

Fe27 Mn27 Ni28 Cr18高熵合金具有优异的耐腐蚀性和抗辐照性,但其屈服强度较低.为提高合金的强度,采用真空电弧熔炼炉制备了FeCrNiMnZrx(x=0,0.02,0.03,0.07)高熵合金,并对其组织及力学性能进行表征分析.研究结果表明:FeCrNiMn合金的铸态组织由富Ni、Mn的FCC基体和富Cr...     

一款多种优异性能集于一体的高频压控有源电感

提出一款多种优异性能集于一体的高频压控有源电感(HFVCAI)，主要由分别配置1个外部电压调控端的第一交叉耦合单元、第二交叉耦合单元和配置2个外部电压调控端的调控单元构成。其中，第一和第二交叉耦合单元并联，且调控单元与它们串联，通过不同单元间的协同配合和4个外部电压的联协调控，HFVCAI能够集3种优异性能于一身:电感值和Q值在同一高频点下皆能取得高的峰值;电感值能够在高频下大范围调谐，而与此同时，Q峰值却能够保持基本不变; Q峰值能够在高频点下大范围调谐，而电感值却能保持几乎不变。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺，利用射频工具ADS对HFVCAI的性能进行了验证。结果表明，电感值和Q值在12.78 GHz高频下同时取得高的峰值，分别为2 841.49 n H和2 118;电感值能够在12 GHz高频下从23.93 n H调谐至123.82 n H，而Q峰值基本保持在87; Q峰值在12.52 GHz高频下能够从26调谐至1 445，而电感值基本保持在401 n H。