对FBGA封装的块翘曲研究

翘曲是电子封装中评估器件可靠性最为重要指标之一。影响翘曲的因素多种多样,如模塑料(EMC)固化过程产生的化学收缩、芯片厚度和芯片面积等。通过运用有限元分析(FEA)方法,选取以上3个因素,对窄节距焊球阵列(FBGA)封装产品的翘曲进行了研究。在仿真过程中,不但考虑封装材料间热膨胀系数不匹配造成的翘曲,同时引入化学收缩的作用。在载荷施加方面,根据实际的测量方法对传统的约束条件进行了修改。通过模拟计算,可以发现这3个因素对翘曲都有一定的影响,其中芯片面积对翘曲的影响较为显著。通过调整这3个因素可以达到减小翘曲、提高器件可靠性的目的。     

FBGA封装翘曲的黏弹性仿真与验证

窄节距焊球阵列(FBGA)封装在现代电子产品中应用广泛,翘曲是这种条带形式封装结构的一个重要性能指标.封装翘曲主要是在模塑工艺中产生的,一方面是降温过程中材料间热膨胀系数不匹配,另一方面是环氧模塑料(EMC)在模塑过程中的化学收缩造成的.另外,模塑材料后固化(PMC)过程中的应力松弛效应也是影响翘曲的重要因素.运用有限元分析(FEA)方法,研究了热失配、EMC化学收缩及其黏弹性特性三个因素对FBGA翘曲的影响.仿真结果表明,EMC化学收缩可以有效补偿热失配引起的翘曲;同时,EMC应力松弛效应也能明显改善翘曲.FBGA产品在模塑和后固化工艺后的翘曲测量值与有限元预测结果具有较好的一致性.     

Ce掺杂0.94MgTiO3-0.06(Ca0.8Sr0.2)TiO3陶瓷的制备及微波介电性能

为了提高MgTiO₃-(Ca_0.8Sr_0.2)TiO₃(MT-CST)微波介质陶瓷的品质因数，通过SEM、XRD、拉曼光谱仪与XPS分析手段，研究了Ce掺杂对MT-CST陶瓷成分晶体结构和微波介电性能的影响.结果表明：高价Ce³⁺取代Mg²⁺可使氧空位缺陷得到有效抑制，从而降低了微波介质损耗，可使品质因数得到较大提升.制备的陶瓷具有优异的微波介电性能：介电常数为20.8,品质因数为61 000 GHz,谐振频率温度系数为-4.99×10^-6/℃.