光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

（Cs,O）／GaAs热退火的变角XPS定量研究

用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应,首次定量地计算了(Cs,O)/GaAs系统的表面(Cs,O)层和界面(Ga,As)弛豫层的厚度和组分.(Cs,O)/GaAs系统在625～650℃的热退火后,(Ga,As)驰豫层厚度减薄,Ga,As的原子浓度增大;且消除了O与As的化学连接.     

CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极的分析研究

欲探测真空紫外区(λ<200nm)的二维空间的光信息,我们在LiF窗口材料上溅射一定厚度的Ni膜作导电衬底,再真空蒸镀一定厚度的CsI淀积层,制成CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极。用H_2水冷毛细管真空紫外辐射源作捡测光源,对CsI光阴极层厚度为70nm     

类金刚石碳膜的红外特性研究

用射频等离子体方法分解甲烷，在Ge片上制备了类金刚石碳（DLC）膜。该膜折射率在2左右，具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比，随膜厚不同，其极大值在3．8～10．6μm范围内，在10．6μm处红外透射比达94．5％、镀制在直径为100mmGe基片上的DLC／Ge／DLC膜系、在10．6μm处，膜片中心的红外透射比为93．9％，距中心不同距离的5个点的红外透射比为91．1％，该膜系具有非常好的均匀性和红外增透性。通过计算获得了DLC膜的光学吸收系数曲线，该膜在3．8μm附近吸收系数为10cm-1；在10．6μm处吸收系数为600cm-1，并对该吸收曲线进行了讨论。     

Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究

用溶胶－凝胶方法在Ｓｉ上成功地制备了钙钛矿型的ＰｂＴｉＯ３薄膜。Ｘ射线衍射结果显示,在热处理温度为７５０￣９００℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。Ｘ射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在ＳｉＯ２薄层,其厚度大约为０．６ｎｍ,该薄层是在制膜过程中衬底Ｓｉ通过ＰｂＴｉＯ３薄膜扩散到表面与大气中的Ｏ２反应而形成的。在７５０℃热处理的薄膜,膜层中不含ＳｉＯ２,但温度升高,膜层中存在ＳｉＯ２成分     

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱（XPS）技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺，定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子的穿过激活导，扩散到GaAs与（Cs，O）激活层的界面上而形成的，导入过量O会增加O－GaAs界面层的厚度，而对（Cs,O）激活层厚度影响较小，在激活过程中，严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度，提高灵敏度的重要途径，在第一步激活后的阴极样品，通过较低温度的加热和再激活，能获得比第一步高出30％的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒。     

变角XPS定量分析的研究

综述了变角Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 分析表面的原理和计算方法，获得了变角ＸＰＳ分析表面／深度的定量计算程序，可快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。     

类金刚石碳膜的热学特性

利用珀尔帖效应,采用三夹层技术测量了类金刚石碳(DLC)膜的热传导率,并指出在高离子轰击能量和低CH_4气压下。通过rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,其热传导率为2.1—2.4W/cm.deg。