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为了研究钛掺杂对Cu_3N薄膜特性的影响,利用射频和直流反应共溅射方法,在硅(100)和ITO玻璃衬底上,成功制备了不同Ti掺杂量的Cu_3N薄膜(Ti-Cu_3N薄膜).通过X射线衍射(XRD)发现,Ti-Cu_3N薄膜的结晶度均低于未掺杂的Cu_3N薄膜,但是随着Ti掺杂量的增加,结晶度增强.Ti-Cu_3N薄膜的晶格常数随着Ti掺杂量的增加先增后减,但均接近于Cu_3N的理论值.扫描电子显微镜(SEM)图片显示,随着Ti掺杂量的增加,薄膜表面变得粗糙,晶粒大小变得均匀.薄膜的微观硬度在Ti掺杂量为1.86at%时达到5.04GPa,而未掺杂的为4.19GPa.随着Ti掺杂量的增加,薄膜电阻率逐渐从未掺杂的5.73kΩ·cm下降到Ti掺杂量为1.86at%时的1.21kΩ·cm.Ti的掺杂使薄膜的平均反射率变大,但过量的Ti会导致透过率下降.随着Ti掺杂量的增加,薄膜的带隙先增大后减小,Ti掺杂量为1.60at%时获得1.39eV的最大带隙值. 相似文献
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