计算机辅助推导非均匀扇形磁场的四阶象差系数

本文从理论上推出非均匀扇形磁场的四阶轨迹方程，通过符号运算和逻辑推理计算机自动设立待定解推出四阶的Ｇ－Ｓ关系，手工反解出四阶的Ｓ－Ｇ规则，本文结果为进一步计算出四阶离子轨迹及其斜率奠定了基础。     

磁控溅射SiGe异质结的薄膜分析

膜层生长不均匀是制备SiGe异质结的研究热点。采用射频磁控溅射方法,通过不断改变溅射时的实验参数,寻找能使Ge纳米薄膜在Si基片上均匀生长的溅射实验条件。实验中,在不同时间条件下分别制备了三种纳米Ge薄膜,通过原子力显微镜对其微观形貌的分析扫描,可以观察到纳米薄膜生长过程中的四个典型阶段,发现Ge/Si的共度生长取得了较好的结果,为SiGe异质结的进一步制备研究奠定了一定的实验基础。     

高Q Kerr介质腔中双模SU(1,1)相干态场与级联三能级原子相互作用的动力学特性

本文研究了一个位于高QKerr介质腔中初始时处于基态的级联三能级原子与双筷SU（1，1）相干态场相互作用系统中，Kerr效应对原子动力学行为和光场性质的影响.结果表明:随着Kerr效应增强，拉比振荡的回复周期缩短，双筷光场的压缩量总是减小，两模间的关联程度减弱，但非经典相关程度则存在增强的情形。     

利用CCD测量单缝衍射光强分布

利用一种新型半导体集成光电器件，即CCD(Charge Couple Devices)电荷耦合器件，并通过CCD专用接口卡来直接测量单缝衍射光强分布，实现测试数据自动采集和实验结果自动输出。叙述了线阵CCD测量光强度的原理，分析了系统的软、硬件设计及测试结果。