工业4.0环境下软件工程专业本科毕业生就业能力量化评价方法及实证研究

针对工业4.0背景下企业对高校人才培养的新要求,为缩短高校教育与企业用人需求之间的差距,从学生能力评价的角度,基于工程教育认证思想,凝练出学生能力评价指标,提出一种科学有效的毕业生就业能力量化评价方法并介绍如何实践应用,以帮助学校相关部门和学生更好地提升学习效果并促进持续改进.     

HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究

用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能.     

2.25Cr1MoNb钢应变诱导相变的热模拟研究

在Gleeble1500热模拟实验机上进行单道次压缩实验,通过改变压下量、变形温度和应变速率研究应变诱导相变的规律。结果表明,铁素体随变形量的增大而增加,铁素体晶粒尺寸随变形量的增加而减小;在Ar3以下,应变诱导相变随变形温度的降低而增大,铁素体晶粒尺寸随变形温度的降低而减小;铁素体随应变速率的升高而减少,晶粒尺寸随应变速率的升高而变小。     

低拉应力下12Cr1MoV钢中P原子的晶界非平衡偏聚

对低应力作用下12Cr1MoV钢中磷原子的晶界偏聚现象进行了俄歇能谱实验研究和动力学分析．实验获得了在30MPa拉应力作用下，磷原子在晶界处发生的非平衡晶界偏聚，临界时间是1h．分析表明，低拉应力极大地提高了磷-空位复合体在钢中的扩散速率，低拉应力引起的晶界变形对磷-空位复合体具有强烈的吸引作用．通过动力学计算给出了磷-空位复合体偏聚阶段扩散系数Dc和磷原子反偏聚扩散系数Di随时间变化的表达式．     

等温保持状态下非平衡晶界偏聚动力学的研究

海军舰艇主机及核动力设备中，壁温在570－590℃以及壁温为540℃左右的蒸气道和集箱用钢，长期在回火脆性温度范围服役，会由于磷的晶界偏聚而导致沿晶间的脆性断裂。为此介绍了等温保持状态下磷的非平稳晶界偏聚动力学的研究进展，建立了非平衡偏聚过程和反偏聚过程动力学方程，依此可计算某一温度下任意时刻的晶界偏聚量，并求出对应最大偏聚量的临界时间，从而可以预报钢的晶界脆性，为钢的晶界生控制研究提供了依据。     

关于韧性断裂特征距离的研究

根据钝裂纹顶端的应力分布以及韧性断裂的过程,定义了韧性断裂的特征距离,并由此得出了特征距离与伸张区宽度及韧窝直径的关系:当伸张区宽度不太大时,特征距离在数值上与伸张区宽度相当,而且是韧窝直径的倍数。     

用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究

采用直流磁控溅射方法制备了一种适用于微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶软磁铁芯薄膜,并对薄膜进行了200℃外加面内横向磁场的真空退火。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线扫描仪(XRD)以及扫描电子显微镜(SEM)测试了薄膜的磁滞回线、相组成、表面形貌并进行了成分分析;使用制备得到的薄膜作为双铁芯磁通门的铁芯,测试了磁通门的激励电流、灵敏度和线性范围。结果表明,制备得到的薄膜主要呈非晶态,具有较大的相对磁导率并且磁滞回线在小磁场下出现明显的拐点;用作磁通门铁芯薄膜时,能得到类似使用Co基非晶带材铁芯时的明显的磁通门信号;工作在40kHz时,磁通门传感器能以有效值22mA的激励电流获得2700V/T的输出电压灵敏度。因此,制备得到的薄膜适用于低功耗、高灵敏度微型磁通门传感器。     

考虑分层损伤的完全抛物线剪切滞后模型

横向基体开裂和分层损伤是正交层板复合材料的主要损伤类型,与现有完全抛物线剪切滞后分析模型不同,本文提出了包含横向开裂裂尖引起分层损伤的完全抛物线模型。依此模型计算了材料的刚度衰减,并与不包含分层的完全抛物线,不完全抛物线等剪切滞后分析模型预测结果作了计算比较,结果表明,在应力较高的情况下,本文提出的分析模型所得的预测结果与实验值符合得最好。     

基于等效铁芯电感的磁通门HSPICE分析模型

提出了一种基于随电流变化的铁芯电感的磁通门HSPICE（High Simulation Program with IC Emphasis）模型,该磁通门模型铁芯的磁滞回线使用反正切函数来描述,其激励与测量线圈等效为一种随电流变化的电感电路模型。本文给出了全电路元件的磁通门模型的参数及提取方法,此模型可以在任意形状的电压激励波形下仿真,与已有的磁通门模型相比,具有仿真精度高、需要参数少且计算容易和可以方便进行输出信号处理的特点。实验和仿真结果对比表明,双铁芯磁通门HSPICE模型仿真的输入电流和输出电压的幅值分别为146 mA和1.03 V,与实际测试的146.6 mA和1.177 V相比,输入电流有0.6 mA的误差,输出电压有0.147 V的误差。     

磁通门的数值分析与HSPICE仿真

针对电压源激励和非正弦波激励在传统分析计算中存在的难题,提出了一种基于HSPICE的磁通门计算和仿真方法。磁通门铁芯用考虑磁滞现象的JA-Brachtendorf模型描述,而传统的JA-Brachtendorf模型参数的提取方法需要很多实验数据。运用一种简单的计算方法利用较少的试验数据先得到JA模型的数据,再由JA模型数据得到JA-Brachtendorf模型的参数。最后通过实例用HSPICE仿真考察电压源激励方式下磁通门各种物理量的波形、量值,与实验结果符合得很好。