蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结的制备及性能研究

为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的A...     

用湿化学法在石英玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列

运用湿化学法在石英玻璃衬底上制备了ZnO纳米线阵列,用SEM、XRD和分光光度计对其形貌、晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明:所制备的ZnO纳米线为六角纤锌矿结构,其直径为60～200nm,长度为0.1～3μm;ZnO纳米线的光致发光(PL)峰值为380nm,在波段为340～380nm时有很强的吸收峰,具有优越的紫外光响应特性;ZnO纳米线阵列具有高度取向性。