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1.
2.
用化学溶液沉积法,尤其是金属有机物沉积法(MOD)制备第二代超导带材,包括缓冲层和YBaCuO涂层,在当前超导带材研究中具有重要的意义.因为其成本低、操作简单、便于规模化生产,可能成为制备高温超导带材最有前途的方法.文内详述了用化学气相沉积,化学溶液沉积,电泳共沉积以及超声雾化热分解等方法制备YBaCuO超导涂层的国内外进展,介绍了在LaAlO3单晶上以及金属基带上制备钙钛矿结构缓冲层的主要种类和特征,也介绍了当前研究的热点之一,导电缓冲层的作用、制备方法和研究进展. 相似文献
3.
稳恒磁场下Ni-W合金镀膜的制备与耐蚀性 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了施加稳恒磁场(0~1 T)对电镀Ni-W合金的影响。测定不同方向、不同强度稳恒磁场下的电流效率、合金组成及镀层的耐蚀性,并用扫描电镜和X射线衍射对镀层的微观形貌及结构进行了观察和分析。对实验结果进行了分析讨论,找出稳恒磁场对这些性能指标的影响规律。结果表明:与不施加磁场相比,施加磁场后镀层的表面更均匀、细致、平整;镀层的含钨量上升:当B⊥J,B=1.0 T时,含钨量上升了约7%;当B∥J,B=1.0 T时,含钨量上升了约9%;镀膜的非晶化程度增强;镀膜的耐蚀性提高;但Ni-W合金电镀的电流效率降低。 相似文献
4.
5.
电沉积制备CuCo颗粒膜微观结构和巨磁电阻效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电化学的方法在半导体Si表面沉积了CuCo颗粒膜.研究了膜层电沉积过程中颗粒膜生长的显微结构及热处理过程颗粒膜元素的分布情况.经过450℃退火处理1h后Cu80Co20薄膜GMR达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降.面扫描元素分析和XRD分析表明经过退火处理膜层中出现Co粒子的析出,出现了局部富钴的区域.磁阻测量表明此时有利于提高膜层的GMR值.更高温度的退火处理使GMR值降低.磁性能测量发现随着退火温度的提高膜层的饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr也随着变大. 相似文献
6.
高纯硼酸制备过程中的结晶动力学 总被引:1,自引:1,他引:0
采用HCl气体液相酸化硼砂的中和反应,并结合重结晶法与离子树脂交换法,制备了高纯H3BO3产品. 实验考察了H3BO3-NaCl-H2O体系中溶液过饱和度、结晶温度、结晶时间、搅拌速度及溶液中所含杂质等因素对H3BO3结晶过程的影响. 结果表明,溶液浓度为18.26%、结晶温度为10℃、结晶时间为480 min、搅拌速度为300 r/min,并选取适当的降温方式有利于H3BO3析晶,结晶率大于83%,晶体呈细小颗粒状. 体系中所含的NaCl杂质促进了H3BO3析晶. 由实验数据得到该体系中H3BO3的结晶动力学曲线,并建立了结晶动力学方程,结晶反应级数为2. 相似文献
7.
稳恒磁场下CuCo颗粒膜电沉积制备与巨磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
在稳恒磁场下电沉积制备了CuCo功能膜材料. 用SEM和XRD对镀层组分、微观结构进行观察和分析,并测量了膜层的巨磁电阻效应. 颗粒膜的组成随磁场强度变化而改变,0.6~0.8 T下沉积的膜层中Co含量较高,更强磁场反而抑制了Co的沉积. 施加磁场能使膜层晶粒更加致密,0.6 T磁场下制备的膜层晶粒较小,并使膜层(111)晶面择优取向增强. 磁阻测试表明,0.6 T磁场下制备的CuCo颗粒膜经真空退火处理后,巨磁电阻较无磁场下提高约25%. 相似文献
8.
以聚笨硫醚(PPS)和聚酰亚胺(PI)为复合粘结剂与聚四氟乙烯(PTFE)混合于合适的溶剂中,制成含PTFE的涂料。分别研究了复合粘结剂中PPS和PI的配比以及涂料中PTFE与复合粘结荆的配比对涂膜性能的影响。结果表明,当复合粘结剂中m(PPS):m(PI)=75:25,涂料中m(PIFE):m(复合粘结剂)=65:35时,所得涂膜性能优良:附着力1级,柔韧性1mm,冲击强度大于500 N/cm2。经过100℃,200℃和250℃的加热-淬冷以及十次加热-淬冷循环实验后,涂膜的物理性能不改变。 相似文献
9.
1IntroductionTheYBCOsuperconductorreactsveryeasilywithmoistureandcarbondioxideintheairtoformalkali.Thisreducesthesupercondu... 相似文献
10.
用熔融织构生长法制备了YBaCuO圆环,其尺寸为:外径58mm,内径42mm,高12mm。圆环外形规则无裂纹。X射线衍射分析和扫描电镜(SEM)观察表明YBaCuO超导圆环具有良好取向。圆环通过30A电流时仍然处于超导态。 相似文献