高温陶瓷窑炉内影响N0x生成若干因素分析

简要分析了燃料燃烧过程中NOx的生成机理,从陶瓷工艺角度着重讨论了燃料特性、过剩空气系数、一次风率、二次风率、燃烧温度以及烟气停留时间等若干因素对NOx生成的影响.     

熔体的粘度，亚稳相，相变和相图——Ⅲ．合金液相相图

对Sn（x）Bi（1-x）11种组分（x=0.10％，20％…80％，90％，100％）的熔体的粘度进行了测量，给出了它们的相变点Tt，相区和相参数；根据这些参数作出了一个二元合金液相相图；为了表明相区的划分和每个相区的结构特征提出两种相图的形式；第1，温度一组分（T-X）图，第2，结构-组分（df-x）图。     

氮气和熔剂联合净化铝熔体

研究了SDJ 1型熔剂与氮气联合净化铝合金熔体的效果 ,并对熔剂净化机理以及FI法 (Fluxinjection)净化优势进行了探讨 ,揭示了除气过程中气体与熔剂的相互作用。结果表明 :采用FI联合精炼工艺 ,在适当的温度 (72 0℃ )和熔剂加入量 (0 .15 %SDJ 1)条件下 ,联合精炼工艺的除气效果远远优于生产中常用的氮气吹气法和熔剂法 ,联合净化法的优势在于提高了吸附能力以及加入具有固氢作用的降渣剂。FI工艺原理为 :气体与熔剂在熔体中均匀分布、密切接触 ,气体使熔剂快速上浮 ,熔剂的存在提供多而窄的通道 ,使氢容易聚集在通道附近 ,即使氢含量较低时 ,氮气仍能发挥作用 ,通道的存在有利于分散和离解气泡。     

Ce对过共晶Al—Si合金熔体粘滞性和结构的影响

研究了Ce对Al—16％Si合金熔体粘滞性的影响。结果表明：Ce的加入增加了合金熔体的粘度，且随着Ce含量的增加粘度值也增加。结合加入Ce的Al—16％Si合金氢含量的变化、凝固组织和DSC曲线研究了熔体结构的变化，分析了粘度与液态结构变化之间的关系。     

减小复杂形状齿轮变形的热处理工艺探索

双联齿轮由于形状比普通齿轮更为复杂，热处理后要同时保证两端轮齿的齿形齿向显得较为困难。本文阐述了双联齿热处理后内孔，轮齿产生变形的内在原因，通过改进装料夹具，工件摆放方式和淬火油的合理选择，达到减小淬火变形的目的，为同类零件的热处理积聚一点参考建议。     

光活性二氧化钛涂层的研究与制备

本文介绍了制备光活性TiO2涂层的两种主要方法，并就一些影响因素进行了简单的讨论。     

莫来石纤维多孔陶瓷负载性能研究

用酸性偏磷酸盐作粘结剂、加压排液法成型制备了孔隙率高达96％的莫来石纤维多孔陶瓷，采用真空浸渍法，对其负载稀土复合金属氧化物La0.8Sr0.2CoO3的性能进行了研究，考察了浸渍时间、浸渍次数对负载量的影响，得出最佳浸渍时间为60min，浸渍次数为2次。通过扫描电镜(SEM)表征了内部架构，最后指出莫来石纤维多孔陶瓷有望成为具有较好效果的新型催化剂载体。     

模糊控制器在窑炉温度控制系统中的应用及计算机仿真

对陶瓷工业窑炉中的温度模糊控制问题进行了探讨,提出了模糊控制器在窑炉温控上的具体应用方法,并进行了计算机仿真,仿真结果表明模糊控制效果良好,具有较好的应用前景。     

Mn掺杂对La0.68Pb0.32FeO3纳米材料电阻率、气敏性能的影响

采用Sol-gel法合成了系列纳米材料La0.68Pb0.32Fe1-xMnxO3（x=0．0，0．1，0．2，0．4，0．6），研究了Mn掺杂对材料的导电特性和气敏特性的影响。研究表明：合成的系列纳米材料均具有正交钙钛矿结构，Mn的掺杂对材料La0.68Pb0.32FeO3的结构没有影响，且对材料粒径的影响较小；随Mn元素含量的增加，La0.68Pb0.32Fe-xMnxO3纳米粉体对丙酮的气敏性均迅速降低；Mn掺杂同时导致电阻率减小，这是由于形成Mn^3＋-O^2--Mn^4＋双交换作用键的缘故。     

MOCVD Growth of Doped GaAs/AlGaAs Quantum Heterostructures

The influences of growth techniques of AP-MOCVD GaAs/AlGaAs silicon-doped multi-quantum wells(MQWs), heterostructure bipolar transistors (HBTs), double barrier resonant tunneling diodes(DBRTDs) ontheir structures and performances were studied. Continuously grown MQWs, that is, no growth interruption atthe heterointerfaces, shown blue-shifted, narrower and stronger photoluminescence(PL) compared withinterruptedly grown ones.TEM examination of the interrupted interfaces revealed a bright line correspondingto the compositional fluctuation and impurity adsorption, and indicated noncommutative structures ofAlGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs interfaces. High performance HBTs and DBRTDs were obtained bycontinuously grown method while growth interruption caused performance degradation. It was concluded thatgrowth interruption may cause accumulation of residua1 impurities in the ambient as well as compositionalfluctuation while continuous growth at very low growth rates can overcome such problems.