环己酮生产装置中环己醇精馏塔技术改造

针对环己酮生产系统中环己醇精馏塔分离效果差、蒸汽消耗量大、精馏塔外排重组分中环己醇含量高、环己醇浪费严重等问题,采用环己醇精馏塔内部中心位置增设小分离塔,直接耦合插入精馏塔底部的方式,利用小分离塔在精馏塔内进行再沸加热回流,使重组分中的环己醇进一步分离.降低了外排塔釜液中环己醇的含量,在达到精馏分离效果的同时,也节约了精馏塔蒸汽的消耗,取得了很好的经济和环保效益.     

关于12 MW生物质发电项目汽轮机岗位开车问题分析及改进措施

针对12 MW生物质(糠醛渣)发电项目汽轮机岗位开车过程中出现的汽封风机频繁跳车、汽封加热器蒸汽侧液位持续性过高及高压加热器疏水管路振动等现象,分析原因是管道中积水过多、多级液封与汽封之间高度差与压差过小、管道支架和管道导淋设置不合理。采用针对性的整改措施后,问题得以解决,保证了汽轮机岗位的成功开车及稳定运行,为整个生物质发电项目实现长周期稳定运行提供有力保障。     

考虑液柱静压力的大型蓄热水罐屈曲分析

大型蓄热水罐在充放热过程中可能出现负压工况,进而有发生屈曲失效的风险。对某大型蓄热水罐进行了基于预应力的特征值屈曲分析,计算了不同液柱高度下罐体的临界屈曲载荷,并对比了液柱静压力对临界屈曲载荷的影响。结果表明,考虑液柱静压力后,罐体临界屈曲载荷略有提高,提高幅度在4.07%以内。     

移动边缘计算环境下的动态资源分配策略

在通讯设备爆炸式增长的时代,移动边缘计算作为5G通讯技术的核心技术之一,对其进行合理的资源分配显得尤为重要。移动边缘计算的思想是把云计算中心下沉到基站部署(边缘云),使云计算中心更加靠近用户,以快速解决计算资源分配问题。但是,相对于大型的云计算中心,边缘云的计算资源有限,传统的虚拟机分配方式不足以灵活应对边缘云的计算资源分配问题。为解决此问题,提出一种根据用户综合需求变化的动态计算资源和频谱分配算法(DRFAA),采用"分治"策略,并将资源模拟成"流体"资源进行分配,以寻求较大的吞吐量和较低的传输时延。实验仿真结果显示,动态计算资源和频谱分配算法可以有效地降低用户与边缘云之间的传输时延,也可以提高边缘云的吞吐量。     

一种计算单井可采储量的新方法

针对油田开发缺少单井潜力评价的问题,运用油藏工程和数理统计方法,从理论和矿场实践两方面进行研究,得到了单井可采储量预测模型,提出一种新的单井潜力评价方法。将研究成果应用于鄂尔多斯盆地绥靖油田措施选井中,结果表明:应用单井可采储量法优选措施井实施效果有效率较生产动态法提高了21.8%,研究内容对油田措施选井方向提供了新的选择。     

轮轨高频动力作用模拟中接触模型的影响分析

轮轨高频动力分析模型目前多沿用了传统的赫兹接触模型,其在高速轮轨系统上的适用性尚未得到验证。针对赫兹接触工况,建立基于多体动力学的车轮-轨道耦合动力学和车辆动力学模型,其中轮轨法向接触由赫兹弹簧表征,作为对比也建立基于显式有限元的三维高速轮轨瞬态滚动接触有限元模型,采用可考虑三维接触几何的"面-面"接触算法精确求解轮轨接触。对比150～500km/h速度范围内典型钢轨短波波磨(波长20～140mm、波深0.01～0.20mm)激励下的高频轮轨力结果,发现三种模型预测的幅值存在显著差异,但未发生轮轨脱离时(波磨尚浅),三种模型预测的幅值均与波深线性正相关。具体而言,相较于瞬态滚动接触模型,车轮-轨道耦合动力学和车辆动力学模型预测的垂向轮轨力更大,其特征幅值的最大差值分别为静轮重的39.2%和88.4%,三种模型预测波长30mm波磨的临界波深(恰好发生轮轨脱离)相应地高于0.2mm、0.14mm和0.05mm。开展高速、高频轮轨动力分析时,传统的赫兹接触弹簧会带来不可忽略的计算误差。     

16Mn（HIC）钢在D405设备环境下的腐蚀行为研究

中国石化集团齐鲁石油化工公司胜利炼油厂1.40 Mt／a加氢裂化装置高压分离器D405存在设备制造问题,现场调查和介质环境的跟踪分析表明,D405设备腐蚀环境为碱性湿H_2S环境。实验室内选择16Mn(HIC)基材和焊接接头作为实验材质,在湿H_2S环境中进行了腐蚀实验。结果表明,16Mn(HIC)SSCC敏感性随硫化氢浓度的增加和pH值的降低而增加。焊缝处SSCC敏感性最高,经过热处理的焊缝其SSCC敏感性明显降低。因此,16Mn(HIC)在D405碱性湿H_2S环境下的腐蚀开裂敏感性很低,设备可以维持长周期运行。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.