六角状SmF3:Eu3+纳米晶体的制备与表征

采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3Eu3 纳米晶体. 分别采用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和光致发光光谱仪(PL)等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征.结果表明产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点.最后对掺杂5mol%Eu3 离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325 nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好.     

六角状SmF3：Eu^3＋纳米晶体的制备与表征

采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3：Eu^3＋纳米晶体。分别采用了X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和光致发光光谱仪（PL）等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征。结果表明：产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点。最后对掺杂5mol%Eu^3＋离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好。     

硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响

纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷（SiH4）热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。     

流态床CVD法制氮化硅超微粉过程分析及实验验证

分析了硅烷氨解法制备氮化硅超微粉的化学气相沉积（CVD）过程，讨论了制备氮化硅超微粉体的3个关键工艺要素，并采用立式双温区流态床实验装置实现氮化硅超微粉体的制备，获得粉体合成过程的一些关键控制参数。     

RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜.用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响.