金属及合金中射程参数的研究SCIEI

本文应用金属中Wigner-Sietz(W-S)半径数据和引入等效电荷概念,结合Ziegler的质子注入数据,导出了计算重离子注入各种金属中的电子阻止本领S_c(E)的公式,计算结果与文献中的实测值结果甚为一致。同样,应用合金中的W-S半径,导出了适用于合金硼化物和CsCl型合金的S_c(E)计算公式。计算结果表明,公式对单硼或二硼化合物符合得较好,而对一些复杂结构的合金以及Cr_5B_3和W_2B_5是不适合的。对CsCl型合金,S_c(E)对Bragg定律的偏离系数γ和合金中电荷转移量成正比,后者越大表明金属键越强,则合金对离子的阻止本领越大,这与实验结果是吻合的。合金中两元素在同一周期中位置相差越远,这种趋势越明显。不同周期元素组成的合金更加强了这种趋势。     

KINETICS OF THE REACTIONS BETWEEN LIQUID SLAGS AND CARBON-SATURATED IRON

总結了渣鉄間碳还原反应,包括FeO,MnO,CrO,V_2O_3的还原和铁液中脫硫。可以认为界面上化学反应很快达到平衡,而整个反应的控制步驟是对流扩散。发現反应級数,在熔体处于旋轉运动(用旋轉坩堝或旋轉攪拌棒)下为一級,处于仅由CO气泡攪动(用靜止坩堝)下为二級;处理脫硫和FeO的还原数据的結果表明,在上述两种情况下,扩散界面层厚度δ分别和轉速ω~(-1/2)和浓度C~(-1)成比例。 討論了固液界面上对流扩散原理在渣铁间碳还原反应中的应用,可以滿意地說明上述規律性。对于SiO_2的碳还原反应,根据現有实驗結果,尚不能肯定对流扩散的作用,可能此反应受界面化学反应所控制。     

二元系中杂质元素分布系数和相平衡图间的经验关系

在Ge或Si和杂质元素组成的二元系中,及Au-Bi,Au-Tl,Ag-Bi,Ag-Pb,Ag-Tl(后一元素表示杂质)中,发现杂质元素分布系数K_B的对数和液相线上组分A的开方浓度。x_(A,L)~(1/2)间有直线关系。据此外推求得的Ge或Si(IV族)中熔点下分布系数K_B~o和实验结果相当符合,也求得了Au,Ag,Cu(Ⅰ族),Mg(Ⅱ族),Al(Ⅲ族)中某些杂质的K_B~o。在这些系统中,发现如Fischler在Ge或Si中所指出的那样,K_B~o和杂质元素的最大固溶度之间也有简单的经验关系。     

珍珠共混纤维素纤维针织物的热湿舒适性评价

选用新型珍珠共混纤维素纤维（珍珠纤维）针织物和常用功能针织物为样本,进行相关的导湿、透气、透湿、保暖性实验,分析织物的热湿舒适性能。并利用灰色聚类分析理论评价珍珠纤维及其混纺针织物的综合服用性能,结果表明,珍珠纤维与黏胶纤维针织物的热湿传递性能最接近,适合制作内衣面料。     

As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为

研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.     

GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.     

用于微机械器件和微电子机械系统的关键技术：微机械技术

微机械技术是研究，生产微机械器件和微电子机械诉关键技术，熟练掌握并不容易。本文总结了三个单位为时数年在微机械技术方面的研究成果，重点介绍我们首创的三项技术，即自对准的准三维加工技术，硅三维结构的无掩模腐蚀技术和硅／硅低温直接键合技术，也提到我们开展过的其他几项微机械技术以及所制作的几种微机械器件的参数或结果。     

暖体假人试验技术在航天领域的应用

通过对航天服隔热值的测试，分析了航天服隔热值的测试结果及其影响因素，并指出用暖体假人试验技术评价航天服热学性能是一种可靠而简便的方法。     

HIGFET器件的静态特性研究(英文)

In this paper, the 2DEG (or 2DHG) density-electric field expression is introduced based on the analysis in energy-band diagram of HIGFETs and the triangular well approximation. In combinating GSW velocity field equation, the analytic formulas of the static characteristics, such as ID-VD, IDS-VDS, gm.,gD, CG and fT are obtained for n- of p- channel HIGFETs at low field region. In the meantime, using the effective variable channel length model, the analytic formulas of the static characteristicc at high field region are also achieved. According to these formulas, the effect of the device structure parameters (such as channel length, etc.) or device electric parameters( such as drain or source resistance, etc.) on the static characteristics can be easily found. And the optimum simulation of device is able to be carried out, which will effectively promote the development of the device manufacture. The theoretical calculated results are in good agreement with the experimental data published in literatures.     

服装消费者满意度的模糊综合评判

本文讨论了模糊数学在服装评价上的应用，并建立了评价服装消费者满意度的模糊综合评判数学模型，为服装评判提供了一种有效的方法。