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对当前硅光集成技术的热点、制备大断面低传播损耗单模脊形光波导进行了三维理论模拟设计。脊的上覆盖层是空气(大折射率台阶,非对称情况)或纯硅层(对称情况),均能得到符合实际的模拟结果。改变脊形光波导的高宽几何尺寸或折射率分布值,模拟结果呈现单模、双模或更高阶模的电场分布及光强分布。用相应条件指导硅脊形光波导的实际制备,实测结果表明模拟结果是准确的。 相似文献
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对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究,介绍了氟化物反应离子刻蚀机理,对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析,总结出刻蚀优化工艺条件,解决了刻蚀中存在的工艺难题。试验表明,在CF4加O2的优化工艺条件下,其刻蚀具有良好的各各异性和较高的重复性,获得了良好的刻蚀效果。 相似文献
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全硅大断面脊形光波导传播特性的理论分析及实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
对当前硅光集成的研究焦点-制备大断面单模脊形光波导的单模条件,用有效折射率法进行分析,也计算了传播常数等性能参数。结果表明,有效折射率法有方法简明、结论确切的优点。它能同时给出单模区、多模区及截止区的条件,已有效指导了SIMOX及n/n+外延型两种单模脊形硅光波导的制备。文中最后给出了实验结果。 相似文献
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