ZnO薄膜光谱计算与颜色预测

简述了色彩形成的物理过程,建立一较有效的材料光谱特性仿真与色彩预测模型.采用密度泛函理论,计算了纤锌矿ZnO的复折射率,计算结果与实验结果相符.计算并分析了ZnO薄膜的反射光谱性质,预测了ZnO薄膜颜色为黄色,与实际样品相符.研究了薄膜厚度对ZnO薄膜色彩的影响,结果表明,在相干长度范围内(＜1300 nm),膜厚对ZnO薄膜颜色调制作用显著,膜较厚时(＞1300 nm),色彩及明度趋于稳定.     

BSST_(1-2475．24)振动筛的改进

由于矿井提升能力的不断加大,用于末煤准备筛分的BSST1-2475.24振动筛在使用过程中不能满足 入洗原煤的正常需要。为了保证生产入洗原煤的需要,通过实践,对该振动筛提出了相应的改进措施。     

稀土元素对油菜、棉花增产效果示范试验

1981年我所稀土农用示范试验,是根据全国稀土办、省科委、省土肥所在长沙召开的鉴定会精神和本所1976年以来小区试验取得一定效果的基础上进行的。1981年在100亩油菜,1000亩棉花示范试验中取得较显著的增产效果。与1980年小区试验结果基本一致。一、试验材料和方法供试品种示范作物为油菜和棉花。供试品种油菜为71-39,棉花为洞庭—1。所用稀土由河南商丘冶炼化工厂生产,含氧化稀     

锥形件拉深智能化控制中压边力的控制规律

法兰起皱、侧壁起皱和侧壁破裂是拉深成形的主要障碍,而合理控制压边力是防止起皱破裂的关键所在.在总结前期研究成果的基础上,结合拉深成形过程的特点,在成形三极限图中给出了圆锥形零件拉深成形的成功区域,并提出了获得最佳压边力控制规律的方法.这为圆锥形零件拉深成形中的模具设计、工艺参数的制定提供了依据,也为拉深智能化控制提供了保证.     

毫米波赋形偏馈双反射面天线技术

为了实现一种具有高口面辐射效率、斜波束出射能力的口径天线,采用几何光学方法设计了一种偏馈双反射面天线.天线主反射面采用赋形设计,副反射面的设计过程中采用Snell定理作为约束条件.通过理论公式、数值模拟仿真和实验测试研究,实现了一种出射波束口径为110 cm、天线口面场分布为抛物形分布、波束出射方向与竖直方向成20°夹角的赋形偏馈双反射面天线.在中心频率95 GHz下,实测天线增益为59.7 dB,第一副瓣电平为-19dB,天线口径效率达到78%.     

电力日负荷数据主成分分析与计算

为实现电力的准确性负荷预测,保证电力系统安全性和经济性,避免短期负荷精度存在误差,提出一种主成分分析方法。结合多元统计的主成分分析,依据主成分的实际贡献率,做好线性无关输入变量的提取工作,进而将变量维数逐渐压缩。结合递推合成BP网络实现数据预测,在电力短期负荷预测过程中,会将模型预测精度提高。电力日负荷数据主成分分析和计算仿真结果表明,这一简化模型在日负荷数据预测过程中速度较快,同时也有着较高的预测精度。     

车载激光雷达三维点云重构与漫游方法

针对车载激光雷达系统,建立了由激光扫描仪数据、载车GPS数据、载车姿态数据进行激光点云解算与重构的数学模型,得到道路及两侧景物的三维点云场景。根据载车行进轨迹,用OpenGL三维引擎技术,实现对道路两侧景物的三维漫游。研究将激光雷达应用于车辆和飞行器的防撞预警,此技术具有快速、主动获取障碍物的高精确度三维坐标,探测距离远,受天气影响小的优势。为能见度低、障碍物较多情况下的车辆和飞行器的防撞提供了一个可行的技术途径。     

探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。     

水力采煤在襄垣古韩联营煤矿的应用

水力采煤适用于顶板稳定,沼气含量少,煤质中硬以下,倾角10~35°,煤厚3~8m,较复杂的地质构造。介绍了古韩联营煤矿利用水力采煤的工艺过程。     

基于SOS的高重频高压纳秒脉冲源设计

依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器线路的工作原理,对输出脉冲幅度50 kV/100 Ω、脉宽约10 ns~20 ns和重复频率100 kHz脉冲源的线路中关键器件的参数进行了计算。分析关键器件SOS、饱和脉冲变压器、副开关要求,给出了关键器件的选型参考。