基于PID自校准算法的IGBT温升控制实现

针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管( insulated gate bipolar transistor, IGBT)温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制IGBT温升。通过MATLAB进行PID建模及参数仿真,采用电学法测试原理并结合嵌入式系统测试IGBT结温,使用PID自校准算法控制器件温升进行IGBT热疲劳测试。实验结果表明：该算法的调节方式和温度精度都达到理想的效果,改善了系统的动态性能,为IGBT寿命预测提供了一个良好的实验环境。     

功率MOSFET零温度系数点的研究

为研究功率MOSFET零温度系数点（Zero Temperature Coefficient,ZTC）,不同栅极电压对温度系数的影响,本文基于阈值电压和迁移率的温度关系并结合功率MOSFET输出特性模型,得到了随栅极电压变化而出现的三种不同温度系数。利用实际测试验证了温度系数的变化规律,结果表明：在小栅极电压条件下,线性区和饱和区均为正温度系数;随栅极电压增大,线性区先进入负温度系数,饱和区仍然为正温度系数,并因此产生了零温度系数点;随栅极电压进一步增大,线性区和饱和区都进入负温度系数。同时根据测试数据,分析了ZTC在不同栅极电压条件下随温度的变化原因,并基于测试数据讨论了迁移率随栅极电压和温度的变化关系。     

扁豆淀粉性质的研究

系统地研究了扁豆淀粉颗粒和糊的性质。结果表明,扁豆淀粉颗粒呈大小不一、形状各异的光滑鹅卵石形,大小为9～25μm,平均值为12μm。轮纹及偏光十字均十分明显,有相当部分呈X形,若干呈斜十字和垂直十字,较小的颗粒出现中间盲区。X-光衍射图样为C型。透光率为21.6%。凝沉性与玉米淀粉相若,比木薯淀粉强。扁豆淀粉糊在较高温度起糊(约85℃),不出现峰值黏度,为BrabenderC型曲线。糊冷、热稳定性好,凝胶性强,且随浓度的增大黏度增大。3%的扁豆淀粉糊为假塑性流体。这些研究结果为指导生产和开发扁豆淀粉的应用提供了理论基础。