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In order to explore the application of magnetron co-sputtering in fabricating the amorphous alloy, Zr-contained amorphous films were prepared by this technique and investigated by scanning electron microscope, energy disperse spectroscopy and X-ray diffraction. The results show that the co-sputtered films are in fully amorphous state or with amorphous-nanocrystalline structure. The XRD patterns of the Zr-Cu and Zr-Ni amorphous films exhibit a double-peak phenomenon. There is a shift of diffusive peak with changing the sputtering current which is possibly attributed to the change of Zr-Ni and Zr-Cu intermetallic like short range orders. In addition, Zr-Cu-Ni ternary co-sputtered films have a sharper peak at high angle. The sputtering yield of element during co-sputtering ranks as CuNiZr, which can be ascribed to the contribution of melting and boiling temperature, atomic size and electrical conductivity of elements. 相似文献
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对Al-Cu合金中α-Al及Al2Cu生长行为的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Al-Cu合金中α-Al和Al2Cu的生长行为,分析了初生α-Al及初生Al2Cu作为共晶核心形核的能力.结果发现,在过共晶组织中,初生相Al2Cu形貌大部分有明显的拐角,观察其平面有的呈矩形,呈现小面生长特性.而α-Al与Al2Cu共晶生长时,Al2Cu择优生长特征削弱,与α-Al耦合生长呈现非小面-非小面生长,表明Al2Cu在不同的生长阶段表现出的生长行为不同.在亚共晶组织中,初生相α-Al周围形成离异共晶的Al2Cu,而过共晶组织中初生相Al2Cu周围没有离异共晶的α-Al,表明初生相Al2Cu作为共晶层片核心的能力比初生相α-Al作为共晶层片核心的能力强. 相似文献
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目前,大多数厂家在镀硬铬、松孔镀铬生产中,对镀槽逸出的铬酸酸雾抑制与捕集的方法是:镀槽中加铬酸酸雾抑制剂和在引风系统中串联铬酸酸雾捕集器。其中.铅酸酸雾捕集器一般采用是网格式捕集器。由于这种捕集器的多层过滤网格结构决定了它的滤网必须及时清洗或更换[1],且清洗的周期要短,否则,滤网会随着雾滴在其上的不断粘附,越来越多的网眼被堵变小或堵死,致使越来越多的网眼过风风速增大,很多酸雾液滴被带过滤网,使捕集器的捕集效率越来越低。现场可以看到网格捕集器大多没有达到高的回收率,在引风系统终端排出了很多铬酸酸雾… 相似文献
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采用酸催化法、碱催化法和酸碱复合催化法制备了SiO2溶胶,进而制得SiO2减反膜。表征了薄膜的表面形貌,测定了薄膜的透射率和硬度。结果表明,不同催化溶胶制得的膜层在表面形貌、减反效果和薄膜硬度等方面存在明显差异:酸催化得到的薄膜,孔隙率和透过率最低,但硬度和抗划伤性最好;碱催化得到的薄膜,孔隙率和透过率最高,但硬度和抗划伤性最差;酸碱复合催化得到的薄膜,孔隙率、透过率、硬度和抗划伤性能介于以上二者之间,性能与酸碱复合催化溶胶的制备工艺密切相关。 相似文献
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Al箔溅射沉积Cu膜的工艺研究 总被引:2,自引:2,他引:0
为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/Cu的界面形貌.结果表明:溅射工艺对膜-基间的结合力有着明显的影响,镀Cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜-基间的结合力.分析认为:镀Cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜,使Al箔表面得到净化;在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放电,使工艺转化成溅射离子镀,从而获得与基体结合良好、晶粒细小、致密的镀层. 相似文献
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工艺参数对直流磁控溅射膜沉积的影响 总被引:1,自引:5,他引:1
在为进一步了解工艺参数对溅射膜沉积的影响,开展了不同工作气体压强、不同溅射功率和有无负偏压条件下的Zr、Cu、Ni单金属溅射膜和Zr—Cu、Zr-Ni二元合金溅射膜的溅射沉积实验。使用称重法,分析了溅射膜沉积量随工作气体压强、溅射功率的变化规律;通过分层溅射和共溅工艺实验,对比了相同溅射功率下Zr与Cu、Zr与Ni元素间分层溅射膜和共溅膜的沉积量;采用扫描电子显微镜,分析、研究了溅射过程中负偏压对Cu溅射膜膜层生长方式的影响。结果表明,由于工作气体压强对电子与气体分子以及对靶材原子与气体分子碰撞几率的影响,使得膜层的沉积量不是随着工作气体压强的升高单纯地呈下降趋势,而是有一最佳压强范围;随着溅射功率的增大,膜层沉积量增加,在溅射功率相等的条件下,由于辉光放电电场叠加增大了工作气体的离化率,使得共溅膜比分层溅射膜的沉积量大得多;溅射过程中施加较高负偏压可以抑制柱状结构生长,细化晶粒,提高膜层致密度。 相似文献
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研究了高温高压下金刚石单晶合成时形成的Fe基金属包膜与触媒合金的Moessbauer参量,并利用它们的差异,讨论了包膜的催化作用.结果表明,虽然Fe基金属包膜与触媒合金中的含Fe相均为γ-(Fe,Ni)和Fe3C,但包膜中的,γ-(Fe,Ni)与触媒合金中的γ-(Fe,Ni)相比,同质异能移IS大于后者、超精细场Bhf小于后者.这表明Fe基金属包膜内γ-(Fle,Ni)中Fe原子的3d层电子状态发生了变化,包膜的γ-(Fe,Ni)在高温高压金刚石生长过程中是一催化相. 相似文献