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原Novell网络配置: 硬件配置:服务器:Compaq 486,主频66MHz;工作站:40个,PC 486兼容机(带硬盘);网卡:NE2000;拓扑结构:总线型局域网。 软件 NetWare V3.11(100users)。 因我校新进一批东海486微机,主频100MHz,出于提高网络运行速度和升级NetWare的想法,于是想将服务器换为主频为100MHz的东海微机,且将 NetWare V3.11升级为V3.12。安装后,出现了以下的故障。下面给出故障现象,以及处理过程。 故障及处理: 相似文献
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5.
首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
6.
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向. 相似文献
7.
激活能测试装置设计及微晶硅薄膜激活能测试 总被引:1,自引:1,他引:0
为了分析微晶硅薄膜的本征特性,设计了激活能测试装置。测试装置包括测试平台、真空系统和加热控制系统。同时给出激活能计算方法,并对不同电压、不同取点个数对激活能测试的影响进行分析。分析结果表明,不同测试电压对激活能测试结果影响很小,不同取点个数计算的激活能差别也很小。 相似文献
8.
现有成品率及关键面积估计模型中。假定缺陷轮廓为圆。而70%的实际缺陷轮廓接近于椭圆.提出了椭圆缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比更具有一般性.而圆模型轮廓的成品率模型仅为新模型的特例.比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失。表明新模型在成品率估计方面更加精确. 相似文献
9.
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化.对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析.确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃.退火时间为5min.该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8.9%.肖特基栅反向漏电流减小2个数量级.阈值电压绝对值减小.退火后肖特基势垒高度提高.在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用.这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因.采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌,500℃未发现明显变化.600℃有起泡现象. 相似文献
10.