MAXIMUM ENTROPY DECONVOLUTION OF XPS PEAK

Necessity of XPS spectrum,deconvolution,disadvantages of the traditional Fast Fourier Tranderm decon-volution method(FFT),princtple,method and advantage ofMaximum Entropy Deconvolution Method (MEM) are de-scribed.Criteria for determing the number of data points sam-pled in MEM are the main point disccussed in the paper,someXPS deconvolution applications of our MEM software showthat the MEM makes XPS deconvolution much easier than thetraditional FFT method.     

回收玻璃自动抽样检验法

<正> 回收的废旧玻璃含有不少外来物质的污染,例如石头、塑料、废纸和金属。为了保证回收玻璃的质量,所含的这些污染物质在玻璃熔化前就要清除。回收来的材料先在一个特定的车间清洗,并在那里被碾压成大小合适的碎片,绝大部分的污染物质都在这里清除干净。 Dalmijn和van Houwelingen曾论述了各种回收玻璃的处理操作方法。一批经清洗过的回收玻璃在送熔化之前,要取样分析以确定一些至关重要的污染物质即陶瓷和金属的残留浓度是多少。     

Sol－gel生长KTa_（1－x）Nb_xO_3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构．结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质．其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布．各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构．Ａｒ＋溅射后的ＸＰＳ谱反映Ｋ严重偏低，Ｔａ和Ｎｂ的化学状态改变，是Ａｒ＋轰击引起Ｋ择优溅射及化合物分解所致．     

用 WPS 制混凝土减水剂的研究

以废聚苯乙烯（ＷＰＳ）泡沫为原料，采用浓硫酸和发烟硫酸两种磺化方法制备性能良好的砼减水剂。对所制砼减水剂的化学成分、分子结构、酸碱度、起泡性、流动度和减水率等性能作了检测，并对其３ｄ、７ｄ和２８ｄ的抗折、抗压强度作了不同Ｗ／Ｃ和不同减水剂掺量条件下的对比试验。结果表明：聚苯乙烯（ＰＳ）磺酸钠砼减水剂（简称ＰＳ减水剂）属引气型高效减水剂，适宜的掺量为０．５％～０．８％，减水率可达２０．５％，２８ｄ砼的抗折、抗压强度比未掺ＰＳ减水剂分别提高１３．２％和２６．９％。     

Na_2O—SiO_2玻璃体系中桥氧和非桥氧的ESCA测定

用ESCA测定了Na_2O含量为38、34、30、28(mol％)的三组Na_2O—SiO_2玻璃系列样品中的桥氧(O~b)和非桥氧(O~(nb))的O_(is)线间的化学位移及其相对含量。三组样品采用三种不同的方法制理其分析表面。实验表明,制备好玻璃的新鲜表面,防止外来氧的干扰,是该项测定的关键,Ar~+离子溅射不失为一种有效的制备方法;手套箱中,在N_2气氛中作人工断裂得到的新鲜断面,与超高真空(UHV)断裂台断裂的断面相比,具有几乎完全相同的分析效果。测定结果还表明,玻璃中的O~b和O~(nb)的O_(is)线能量间的化学位移是1.8～2.0eV,O~b在高结合能端,这与金子泰成和Bruckner的结果一致;其定量结果与人工配制含量吻合。     

铁电（Pb0.925La0.075）（Zr0.65Ti0.35）0.981O3薄膜的XPS分析

本文对射频控溅射制备的（Pb0.925La0.075)(Zr0.65Ti0.35)0.981O3薄膜作了XPS全扫描和窄有谱分析。结果表明，薄膜的表面缺Pb是形成TZO相的主要原因；随着退火温度的升高，薄膜中钙钛矿相的形成导致各元素的结合能发生位移。     

硅酸盐矿物中硅的Auger参数及其构型

本文以MgK_o的韧致辐射激发SiKLL,测定了20个分别代表岛状、链状、层状.架状4种构型的硅酸盐矿物中Si的Auger参数值;引用了环状硅酸盐矿物绿宝石的文献值,从22组数据中总结出硅酸盐矿物中Si的Auger参数值依岛状、环状、链状、层状、架状构型顺序递减的规律,并分析了原因,解释了例外情况。     

铁电（Pb_（0．925）La_（0．075））（Zr_（0．65）Ti_（0

本文对射频磁控溅射制备的（Ｐｂ＿（０．９２５）Ｌａ＿（０．０７５）－（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））＿（０．９８１）Ｏ＿３薄膜作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描能谱分析。结果表明，薄膜的表面缺Ｐｂ是形成ＴＺＯ相的主要原因；随着退火温度的升高，薄膜中钙钛矿相的形成导致各元素的结合能发生位移。     

Sol—gel生长KTa1—xNbxO3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构，结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质，其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布，各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构。