一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元

本文提出了一种新式SEU加固的10管PD SOI静态存储单元。通过将互锁反相器中的上拉和下拉管分割成两个串联的晶体管,该单元可有效抑制PD SOI晶体管中的寄生BJT和源漏穿通电荷收集效应,这两种电荷收集效应是引起PD SOISRAM翻转的主要原因。通过混合仿真发现,与穿通的浮体6T单元相比,该单元可完全解决粒子入射单个晶体管引起的单粒子翻转。通过分析该新式单元的翻转机制,认为其SEU性能近似与6T SOI SRAM的单粒子多位翻转性能相等。根据参考文献的测试数据,粗略估计该新式单元的SEU性能比普通45nm 6T SOI SRAM单元提升了17倍。由于新增加了四个晶体管,该单元在面积上增加了43.4%的开销,性能方面有所降低。     

房屋建筑调查数据质检软件设计

房屋建筑调查数据质量是普查成果的重要组成部分。常规的质量检查方法是人工检查与国家质检软件质检相结合,人工检查在检查内容、效率、成本等方面存在多种不足,国家质检软件只能对字段是否必填及图形拓扑关系等进行检查,缺少字段逻辑关系检查和规范性检查。文章针对房屋建筑调查技术导则对数据质量的要求,从空间、属性、拓扑等方面详细描述了房屋建筑调查数据质检软件的设计内容,围绕属性和拓扑关系规则集的内容组织、检查模型构建等方面阐述了质检软件的设计思路,在关键技术和主要功能等方面提出技术思路,为住建部门开展房屋建筑调查数据质量检查工作提供借鉴。     

绿色施工技术在道路桥梁施工中的应用

道路桥梁建设的发展影响着各行各业的发展,对我国综合国力的发展以及改善国民出行质量有非常重要的作用。在道路桥梁施工中,不可避免的会对环境造成破坏,因此如果在道路桥梁施工中,在保证质量和效率的基础上降低污染,成为非常重要的课题。通过引入绿色施工技术,可以在一定程度上降低对环境的破坏,因此应不断加强对绿色施工技术的宣传和应用...     

基于脉冲中子技术的非放射性示踪流量测井方法研究

为了解决低注入量分层注入井的流量监测难题,开发一种无放射性风险,无井内沾污,流量测量下限低的测井方法.文章提出一种基于脉冲中子技术的示踪相关流量测井方法,采用无放射性物质作为示踪剂,利用示踪相关方法测量流量.基于理论分析结果开展了可行性室内试验及样机试制,同时在标准井开展了可行性试验.试验结果证明了非放射性示踪流量测井方法的可行性.     

A novel high reliability CMOS SRAM cell

A novel 8T single-event-upset(SEU) hardened and high static noise margin(SNM) SRAM cell is proposed. By adding one transistor paralleled with each access transistor,the drive capability of pull-up PMOS is greater than that of the conventional cell and the read access transistors are weaker than that of the conventional cell.So the hold,read SNM and critical charge increase greatly.The simulation results show that the critical charge is almost three times larger than that of the conventional 6T cell by appropriately sizing the pull-up transistors.The hold and read SNM of the new cell increase by 72%and 141.7%,respectively,compared to the 6T design,but it has a 54%area overhead and read performance penalty.According to these features,this novel cell suits high reliability applications,such as aerospace and military.     

论思想政治工作进社区

当前 ,江汉油田越来越多的“单位人”成为“社会人” ,大量的单位工作转由社区承担。这就需要将思想政治工作开展进社区。社区思想政治工作要立足区情 ,要紧紧围绕文化进社区 ,美德进社区 ,法制进社区 ,服务进社区四个方面展开。加强和改进思想政治工作 ,要建立好社区基层党支部、小区非正式群体的组织和居民自治组织     

Novel SEU hardened PD SOI SRAM cell

A novel SEU hardened 10T PD SOI SRAM cell is proposed.By dividing each pull-up and pull-down transistor in the cross-coupled inverters into two cascaded transistors,this cell suppresses the parasitic BJT and source-drain penetration charge collection effect in PD SOI transistor which causes the SEU in PD SOI SRAM. Mixed-mode simulation shows that this novel cell completely solves the SEU,where the ion affects the single transistor.Through analysis of the upset mechanism of this novel cell,SEU performance is roughly equal to the multiple-cell upset performance of a normal 6T SOI SRAM and it is thought that the SEU performance is 17 times greater than traditional 6T SRAM in 45nm PD SOI technology node based on the tested data of the references.To achieve this,the new cell adds four transistors and has a 43.4%area overhead and performance penalty.     

浅议混凝土裂缝的预防

混凝土施工在建筑工程中是很普遍、很经常的,其所用原材料主要就是——砂、石、水泥。混凝土质量的好坏,既对结构物的安全,也对结构物的造价有很大影响,如果在施工中措施不当、重视不够,会出现裂缝、渗漏、强度不足等质量问题。因此,混凝土的抗裂、抗渗,是混疑土施工的一个关缝问题,这对于大体积混凝土尤为重要。 1 裂缝产生的原因 1.1 水泥水化热引起温度应力和温度变形 水泥在水化过程中产生大量的热量,称为水化热。其主要表现在早期释放,使混凝土内部温度升高。混凝土内部与表面存在温差,就会产生温度应力和温度变形。温度应力与温差成正比,温差越大,温度应力     

基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路

随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.     

一种新颖的高可靠CMOS SRAM 单元

本文提出了一种新颖的8管抗SUE,高噪声容限的SRAM单元。通过在每个访问晶体管上增加了一个并联的晶体管,上拉PMOS的驱动能力可以设计的比传统单元的PMOS的驱动能力更强,读访问晶体管可以设计得比传统单元的读访问晶体管更弱。因此保持,读噪声容限和临界电荷都有较大提高。仿真结果表明,与传统的6管单元相比,合理设计上拉晶体管尺寸后,临界电荷提高了将近3倍。保持和读静态噪声容限分别提高了72%和141.7%。但该新式单元的面积额外开销为54%,读性能也有所下降,适用于高可靠性应用,如航天,军事等。