Optical Absorption Properties of Electron Beam Evaporated a-Si_(1-x)Gd_x Films

Optical absorption properties of electron beam evaporated a-Si films(a-Si_(1-x)Gd_x films)are studied forvarious composition x.It is shown from the experimental results that variation of chemical composition in thiskind of materials will lead to a change in near infrared absorption.For 0.1 at%相似文献   

Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响

本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ～T~(-1/4),作者从电子有效负相关能的变化解释了这种现象.     

Study on ESR Properties of a-Si_(1-x)Gd_x Films

ESR studies have been undertaken for various chemical composition of electron beam evapo-rated a-Si_(1-x)Gd_x films with 0相似文献   

Si基有机异质结势垒特性的研究

在电阻率为０．２Ω．ｃｍ的ｐ－Ｓｉ衬底上沉积了厚度为２０ｎｍ的有机半导体材料四甲酸二酐（ＰＴＣＤＡ）薄膜,由此形成有机／无机异质结。从它们的能带结构出发,通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（ＯＩＨＪ）的电容－电压及电流－电压特性。     

锗 -二氧化硅复合薄膜的光电特性(英文)

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒 ,Ge纳米颗粒的平均尺度约 5 .0nm时 ,薄膜的光学带宽约 1.42ev ,电导激活能的最小值约 0 .43ev。     

减小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光电探测器暗电流的方法

有机/无机同型异质结是一种新型的光电子元器件,由于它有制备工艺简单,一致性和稳定性好,光电转换效率高,频响特性宽等优点,在光电子领域将有广泛的应用前景.将有机半导体材料苝四甲酸二酐淀积在10 Ω·cm的P-Si无机半导体片上,形成有机/无机同型异质结,然后采用各种工艺处理方法有效的降低了它的暗电流,暗电流减小到了10-9A数量级.对降低暗电流的工艺措施和方法进行了分析和讨论.实验结果还表明,ITO/PTCDA/P-Si/Al同型异质结的暗电流主要成分是耗尽区中载流子的产生-复合电流结的反向饱和电流.     

电化学沉积非晶NiOxHy膜的电致 变色特性及其机理

研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性,该膜是一种富氧结构,具有优良的变色特性,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上．NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定．H+注入并占据Ni空位,会使一部分Ni3+转化为Ni2+,Ni3+的减少将导致光透性增强,这是因为Ni的d电子能级在NiO6八面体晶场中被分裂为t2g和eg能级．H+的注入使Ni3+的t2g能级被电子填满,变为Ni2+,导致光学透明．反之,H+的萃取使t2g能级出现空穴,即形成Ni3+,导致光吸收．     

锗—二氧化硅复合薄膜的光电特性

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ｇｅ－ＳｉＯ２复合薄膜,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、Ｘ射线衍射、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ｇｅ纳米颗粒,Ｇｅ纳米颗粒的平均尺度约５．０ｎｍ时,薄膜的光学带宽约１．４２ｅｖ,电导激活能的最小值约为０．４３ｅｖ。     

掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究

用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜,在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量,对复合膜的结构进行了探讨．     

p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究

对有机／无机光电探测器PTCDA／p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷。原因是p—Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的。将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDA在p—Si基底上的生长模式,即：PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTC—DA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构。与硅衬底原子结合的过程为：苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合。结合时,藐环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的C=O键断开,形成O-Si-C和硅氧化物。对PTCDA／p—Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDA在p—Si基底上的生长模式。