放电等离子制备Ti3AlC2/TiB2复合材料及性能

采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺制备了Ti3AlC2/TiB2复合材料,并研究了复合材料的性能.研究表明:在1 250℃,30MPa烧结8min,可以获得相对密度达98%以上的致密Ti3AlC2/TiB2块体材料;在Ti3AlC2中添加TiB2能大幅度提高材料性能,当TiB2含量为30%(体积分数,下同)时,Ti3AlC2/30%TiB2复合材料的Vickers硬度达到10.39GPa,电导率为3.7×106 S/m;当TiB2含量为10%时,抗弯强度为696MPa,断裂韧性为6.6MPa·m1/2.用电子显微镜对复合材料的显微结构分析表明:Ti3AlC2/TiB2复合材料的晶粒为层状结构.     

放电等离子合成Ti3AlC2/TiB2复合材料的制备及性能研究

采用放电等离子烧结方法研究了Ti3AlC2/TiB2复合材料的制备和不同TiB2含量(体积百分数)对Ti3AlC2/TiB2性能的影响。研究表明,在1250℃,30MPa压力和保温8min条件下烧结,可以得到相对密度达98%以上的致密Ti3AlC2/TiB2块体材料;在Ti3AlC2中添加TiB2能大幅度提高材料的硬度;Ti3AlC2/30%TiB2维氏硬度达到10.39GPa,电导率达到3.7×106S·m-1;当TiB2含量为10%时,抗弯强度为696MPa,断裂韧性为6.6MPa·m1/2,但当TiB2含量继续增加时,由于TiB2的团聚和TiB2抑制Ti3AlC2晶体的生长导致了材料的抗弯强度和断裂韧性的下降。     

块体Ti2AlN多晶陶瓷的制备研究

Ti、Al和TiN粉按化学计量比配料，在原位热压（HP）和放电等离子（SPS）2种烧结工艺条件下可以合成单相块体Ti2AlN多晶陶瓷材料。通过X射线衍射（XRD）分析烧结产物的相组成。用扫描电镜（SEM）研究材料的显微结构特征。原位热压工艺合成Ti2AlN的最佳温度为1300℃，烧结试样的密度为4．22g／cm^3，达到理论密度的97．9％；放电等离子烧结工艺合成Ti2AlN的最佳温度为1200℃，烧结试样的密度为4．28g／cm^3，达到理论密度的99．3％。且晶体发育完全，结果紧密，具有明显层状结构。     

密码设备API接口扩展设计及安全性分析

为了解决标准API接口不支持SSL服务器所需密钥对由外部(如密钥管理中心)产生、送入SSL服务器安装部署的问题,在原标准基础上,采用非对称和对称密码体制设计了密钥对外送产生、传输的密码设备API接口和密码协议,定义了RSA证书密钥对API接口参数,实现了外送密钥对密钥管理功能要求,并通过BAN逻辑证明了所设计API扩展...     

计算机通信网络电话集成技术的应用探究

1.计算机通信网络技术(1)计算机通信网络技术原理与现状计算机技术和通信技术整合而成的计算机通信网络技术可以实现数据的传输,处于不同位置的计算机可以通过路由器、交换器的连接形成一个通信网络系统,使不同的地区进行信息交流,实现资源的共享。计算机通信网络除了能够满足当地学校、企业等单位对数据传输和文件处     

融合注意力和多尺度时空图网络的人体行为识别

提取一种融合注意力和多尺度时空图网络的人体行为识别算法,在时空图网络卷积层融入通道-空间级联注意力机制以及在时间图卷积中增加多尺度卷积,利用改进的算法通过嵌入式平台在NTU RGB+D数据集的两个评估基准X-Sub和X-View上的准确率达到了89.1%和92.5%。实验结果表明,该方法具有可靠的精度,可以应用于嵌入式平台完成人体行为识别任务。     

放电等离子合成Ti3AlC2/TiB2复合材料的制备及性能研究

采用放电等离子烧结方法研究了Ti3AlC2/TiB2复合材料的制备和不同TiB2含量(体积百分数)对Ti3AlC2/TiB2性能的影响.研究表明,在1 250℃,30 MPa压力和保温8 min条件下烧结,可以得到相对密度达98%以上的致密Ti3AlC2/TiB2块体材料;在Ti3AlC2中添加TiB2能大幅度提高材料的硬度;Ti3AlC2/TiB2维氏硬度达到10.39 GPa,电导率达到3.7×106 S·m-1当TiB2含量为10%时,抗弯强度为696 MPa,断裂韧性为6.6 MPa·m1/2,但当TiB2含量继续增加时,由于TiB2的团聚和TiB2抑制Ti3AlC2晶体的生长导致了材料的抗弯强度和断裂韧性的下降.     

三元层状氮化物(Ti2AlN)陶瓷的研究

综述了Ti2AlN陶瓷合成技术的研究进展,详细介绍了Ti2AlN的力学性能和电学性能.已见报道的Ti2AlN陶瓷的制备方法有热等静压法和振动致密化反应合成法.以单质Ti,Al,TiN粉为原料,按摩尔比1:1:1称量后混料,用原位热压的方法合成了Ti2AlN多晶块状材料.X射线衍射分析结果表明,当烧结温度为1000℃时,已经开始形成Ti2AlN相,但仍然有很多未反应的TiN和中间产物TiAl;随着烧结温度的提高,Ti2AlN的衍射峰逐渐增强;当烧结温度在1 300℃时,仅有微弱的TiN衍射峰,产物已经近乎纯的Ti2AlN材料.     

三元层状氮化物(Ti2AlN)陶瓷的研究

综述了Ti2AIN陶瓷合成技术的研究进展，详细介绍了Ti2AIN的力学性能和电学性能。已见报道的Ti2AIN陶瓷的制备方法有热等静压法和振动致密化反应合成法。以单质Ti，Al，TiN粉为原料，按摩尔比1：1：1称量后混料，用原位热压的方法合成了Ti2AIN多晶块状材料。X射线衍射分析结果表明，当烧结温度为1000℃时，已经开始形成Ti2AIN相，但仍然有很多未反应的TiN和中间产物TiAl；随着烧结温度的提高，Ti2AIN的衍射峰逐渐增强；当烧结温度在1300℃时，仅有微弱的TiN衍射峰，产物已经近乎纯的Ti2AlN材料。     

全日制专业学位硕士研究生培养机制研究

针对全日制专业学位硕士研究生生源及学校培养体制现状,在课程设置、双导师制度、质量评价体系、创新能力与实践能力培养等课程体系的创新方面进行了有益探索,提出了全面提高材料科学与工程专业全日制专业学位硕士研究生培养质量综合系统方法。实践表明,综合系统方法有助于提高全日制专业学位硕士研究生综合素质。