场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜

以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征。实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。     

CuInS_2薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不同反应物Cu/In/S摩尔比对薄膜的晶相结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明:所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,沿(112)面择优取向生长。反应物Cu/In/S摩尔配比为1.5∶1∶6所生长的CuInS2薄膜晶粒尺寸分布均匀,表面平整致密。CuInS2薄膜的光学带隙宽度在1.97~2.05 eV范围内变化。