双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d B     

一种提高硅双极器件频率和功率的新技术

提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术－具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用ＭＥＤＩＣＩ模拟分析表明,该技术可交双极器件的击穿电压ＢＶＣＢ０提高到平行平面结的９０％以上;可减小寄生效应和漏电流,有助于提高小电流β０;可适当的增加集电区掺杂浓度,减小τｄ,同时提高ＩＣＭ和Ｐｏ。     

一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的RF功率器件结构-梳状基区结构.在不增加本征集电结面积的情况下,该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性,增大器件的耗散功率和输出功率,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾.模拟分析表明,采用该结构,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的90%以上,器件的大电流特性和频率特性也有所改进.采用该技术制作的试验样管DCT375同传统结构器件相比,其热电特性得到显著的改善.这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径.     

一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .     

晶体管非线性失真分析

本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄生电容的非线性效应;(8)电流放大系数和雪崩倍增效应与电压的非线性关系。利用Taylor级数展开分析各模型参数,并编制了计算程序,定量计算了互调失真与工作频率、发射极条宽、基区宽度、发射极线电流密度,基区掺杂浓度等重要参数的关系。计算结果与实验结果基本吻合。     

双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极RF功率管新的深阱结终端结构.模拟分析表明,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95%以上.实验结果表明,深阱结终端结构器件DCT260的BVCBO为理想值的94%,比传统终端结构器件高14%;与传统结构相比,在不减小散热面积的情况下,该结构还减小集电结面积和漏电流,器件的截止频率提高33%,功率增益提高1dB.     

深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析

本文提出一种能有效提高ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱ＲＦ功率双极晶体管,并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ＶＨＦ,线性输出功率１５Ｗ）的结构参数为ＮＣ＝７０×１０１５ｃｍ－３Ｎ型外延层,集电结结深ＸＪＣ＝０３μｍ,未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为ＢＶＣＢＯ＝７２Ｖ,截止频率１６ＧＨｚ;并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μＡ）．这初步显示了深阱结构在ＲＦ功率晶     

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。     

Al/a-Si:H肖特基势垒效应

利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.     

半导体桥(SCB)的研究

目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十分之一），结构上兼有Ｓｉ桥区倒圆点和Ｔｉ、Ａｌ金属导体倒圆点两大特点，其点火临界能量可降低到３～５ｍＪ，作用时间可缩短到５μｓ，从而能快速产生热等离子体来引爆猛炸药．同时，ＳＣＢ还具有较高的可靠性和安全性，其安全电流大于１．５Ａ．本文分析了ＳＣＢ工作原理，并研究了ＳＣＢ的结构对临界能量、点火作用时间、