一类新的带记忆模型的非单调信赖域算法

本文就无约束优化问题提出了一个带记忆模型的非单调信赖域算法。与传统的非单调信赖域算法不同,文中的信赖域子问题的逼近模型为记忆模型,该模型使我们可以从更全面的角度来求得信赖域试探步,从而避免了传统非单调信赖域方法中试探步的求取完全依赖于当前点的信息而过于局部化的困难。文中提出了一个带记忆模型的非单调信赖域
域算法,并证明了其全局收敛性。     

一款应用于多通道CZT探测器的12-bit 1MS/s SAR-ADC芯片

本文提出了一种应用于多通道CZT探测器低功耗、小面积、抗辐照12位1MS/s逐次逼近模数转换器芯片。为了提高SAR-ADC的精度,提出了一种新型比较器,该比较器能够实现失调电压自校准功能。同时为了减少电荷分配DAC中电容失配的问题,提出了分散式电容阵列。通过电路级和版图级技术加固,提高该SAR-ADC芯片的抗辐照能力。原型芯片采用TSMC 0.35um 2P4M CMOS工艺。电源电压为3.3V和5V,采样率是1MS/s。该SAR-ADC芯片能够实现高达67.64dB的信纳比SINAD,然而仅消耗10mWz功耗。该芯片核心面积为1180um×1080um。     

1.2738模块预硬化后大面表层硬度偏软问题分析

针对1.2738模块预硬化后大面表层硬度偏软问题进行分析。结果表明,1.2738模块大面表层硬度偏软是由于模块预硬化后,大面表层产生大量黑色的屈氏体异常组织造成。由于模块淬火过程采用"水-空交替控时淬火冷却技术"进行淬火冷却处理,在第一阶段预冷过程中,模块棱角、棱边和表层的温度降低到过冷奥氏体不稳定的温度范围之后,形成大量了黑色屈氏体组织。后期经过工艺调整,解决了模块预硬化后大面表层硬度偏软问题。     

薄膜封窖在酱香型白酒生产中的应用

封闭式入窖发酵是酿造酱香型白酒的关键工艺,糟醅入窖后需要进行封窖处理,传统的封窖材料为泥土,且封窖用泥要求较高、使用周期有限、可用资源匮乏,封窖泥的使用甚至会对环境造成一定的污染。为了推动酱香型白酒产业的可持续发展,使用薄膜封窖将会大大提高窖泥的重复利用率,节约财力物力,并解决一系列生产实际困难。因此,本文简述了在酱香型白酒酿造过程中薄膜封窖的应用方法,对传统窖泥封窖和薄膜封窖两种方式的效果进行了对比分析,并阐述薄膜封窖应用于酱香型白酒生产的科学性和可行性。     

基于ANSYS有限元分析法的LED结温检测北大核心CSCD

发光二极管(LED)作为第四代照明光源,其发光性能不但和电学特性相关,还受pn结结温的影响。LED的发光效率随着结温的升高而降低,LED的使用寿命也会随之减小。因此对LED结温进行准确检测具有重要的意义。利用Fluke Ti20红外测温摄像仪和ANSYS有限元软件模拟仿真结合的方法来分析LED模块的结温,并与标准电压法测得的结温进行对比。利用该方法获得的仿真结果与电压法实测LED结温值误差小于2%,与红外测温仪实测结果相差不超过5%。实验证实该方法可以作为LED非接触式结温分析的一种有效的工程方法。     

应用于碲锌镉探测器逐次逼近模数转换器基准电压的研究

An on-chip reference voltage has been designed in capacitor-resister hybrid SAR ADC for CZT detector with the TSMC 0.35 μ m 2P4M CMOS process. The voltage reference has a dynamic load since using variable capacitors and resistances, which need a large driving ability to deal with the current related to the time and sampling rate. Most of the previous articles about the reference for ADC present only the bandgap part for a low temperature coefficient and high PSRR. However, it is not enough and overall, it needs to consider the output driving ability. The proposed voltage reference is realized by the band-gap reference, voltage generator and output buffer. Apart from a low temperature coefficient and high PSRR, it has the features of a large driving ability and low power consumption. What is more, for CZT detectors application in space, a radiation-hardened design has been considered. The measurement results show that the output reference voltage of the buffer is 4.096 V. When the temperature varied from 0 to 80℃, the temperature coefficient is 12.2 ppm/℃. The PSRR was-70 dB@100 kHz. The drive current of the reference can reach up to 10 mA. The area of the voltage reference in the SAR ADC chip is only 449×614 μm². The total power consumption is only 1.092 mW.     

PET成像前端读出芯片研究进展

在过去的半个多世纪里,虽然正电子发射断层(PET)成像设备在外型上没有多大变化,但在技术和方法上发生了多次革命性的飞跃。微电子技术在PET成像领域的应用将进一步推动PET向更小体积、更高性能、更低成本等方向发展。从PET系统成像原理出发,详细综述了PET前端读出芯片技术的研究进展。将PET探测器信号的前端读出和信号处理分为光电转换、信号采集、脉冲高度分析、峰值探测和保持、信号数字化和数字信号处理等环节,给出了各个环节的微电子电路实现。然后,描述了PET前端读出大规模专用集成电路的研发进展,指出采用数字电路的方法来处理探测器前端读出和模拟信号处理已经成为PET前端电子的发展趋势,而且集成PET专用DSP的多通道智能前端读出电路已经成为一个重要的方向。     

巴比妥酸衍生物电子能谱的研究

利用紫外－可见吸收光谱和荧光光谱,研究了双巴比妥酸衍生物的结构与性质关系。结果表明,对于Ｄ－π－Ａ结构的巴比妥酸分子,最大吸收波长λｍａｘ是分子内电荷转移所致,该化合物有二个发光其发光机制各不相同,第一个发光带为ｎ－π跃迁引起的,第二个发光带是由于分子内电荷转移所造成的。     

含硫含铝钢种连铸絮流问题工艺探究和实践

针对含硫含铝钢钢种特性,介绍连铸时存在絮流风险的原理。通过研究适合含硫含铝精炼渣系,建立了精炼原辅渣料模型控制,稳定了生产过程渣系;配合钙处理技术进行优化,通过优化过程易氧化元素铝的加入工艺,修正了过程控制关键点;连铸过程的过热度控制制度,获得钢水在连铸过程中良好的可浇性,实现含硫含铝钢种的长浇次稳定生产,产品质量稳定,满足高端用户需求。     

应用于前端读出电路的片上LDO设计

为满足辐射探测器前端读出电路对模拟电路稳压器片上集成和快速瞬态时间响应的需求,设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的全片上集成LDO。采用大摆幅高增益放大器驱动输出功率管,增大了功率管栅极调节电压摆幅,减小了功率管尺寸和LDO压差电压。该放大器同时增大了LDO的环路增益和对功率管栅极的充放电电流,从而改善了瞬态响应性能。为了不牺牲环路增益带宽和芯片面积,并且保证LDO在整个负载电流区间内保持稳定,提出了一种负载电流分区频率补偿方法。仿真结果表明,在负载电容为200 nF,负载电流范围为0～200 mA时,设计的LDO相位裕度均大于53^o。在相同功率管尺寸情况下,采用大摆幅高增益放大器可以将LDO最大输出电流能力提高到两倍以上。当负载电流从10 mA跳变到200 mA时,LDO输出电压恢复时间小于6.5μs。设计的LDO电路面积为120μm×264μm,满载时电源效率为97.76%,最小压差电压为50 mV。