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GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命. 相似文献
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冯源刘国军郝永芹王勇晏长岭赵英杰芦鹏李洋 《半导体技术》2014,(11):831-835
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。 相似文献
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中国城市低碳建筑的内涵与碳排放量的估算模型 总被引:5,自引:2,他引:3
提出并阐述了符合中国经济社会实际的城市低碳建筑概念及其内涵,构建了建筑碳排放测算的数学模型,运用该模型分析了中国城市建筑碳排放的现状,分析表明该模型可以较好地测算建筑碳排放量,是有助于低碳建筑发展决策的一个较好的工具。 相似文献
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大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。 相似文献
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介绍了国内外α-烯烃目前主要生产技术及应用领域情况,并结合煤制油企业的生产工艺特点,提出了国内α-烯烃生产技术的开发建议。 相似文献
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运动人脸姿态受到不规则光谱分布的干扰导致检测的准确性不好,提出基于高光谱成像技术的运动人脸姿态识别方法。采用高光谱视觉成像技术进行运动人脸姿态图像视觉信息采样,采用多层特征分解方法提取运动人脸姿态高光谱图像的边缘轮廓特征量,结合视觉信息重构的方法进行运动人脸姿态光谱特征检测,建立运动人脸姿态的光谱分布结构模型,采用活动轮廓套索模型进行运动人脸姿态高光谱图像角点信息标记,根据角点特征提取结果进行人脸的关键特征点标注,根据运动人脸姿态高光谱图像的特征分布实现运动人脸姿态识别。仿真结果表明,采用该方法进行运动人脸姿态识别的准确性较高,特征分辨能力较强,提高了运动人脸姿态信息检测和特征提取能力。 相似文献
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