论中职学生信息素养的培养

中职学校的信息素养教育对培养学生终身学习思想和自主学习能力的提高起着重要作用.本文结合当前我国社会发展的要求,结合职业教育的发展现状,提出了提高中职学生信息素养的要求和实施意见.     

基于Zynq-7000高速图像采集与实时处理系统

Xilinx公司推出的Zynq-7000系列全可编程SoC采用了微处理器加可编程逻辑的结构,该项目在Zynq-7000的可编程逻辑部分搭建了图像采集系统,在双核处理器Cortex-A9部分搭建了用于处理图像的实时Linux操作系统,使用WiFi与外界进行交互。同时还介绍了使用该平台进行高性能图像处理的方法,为小型机器人的高性能图像处理应用提供了一种设计方案。     

改进的基于区域卷积神经网络的微操作系统目标检测方法

传统的目标检测方法不能有效检测微操作系统中部分受遮挡或多种姿态的目标,因此文中采用改进的基于区域卷积神经网络的Faster-RCNN检测算法,用于微操作系统中部分受遮挡或多种姿态的目标检测.在原始Faster-RCNN的基础上,使用在图像分类任务中性能优越的深度残差网络作为检测算法的主框架,并且引入防止正负样本不均衡的在线困难样本挖掘策略以提高网络性能.实验表明,这种改进的基于区域卷积神经网络方法能有效识别部分受遮挡和不同姿态的目标,相比传统方法,文中方法对环境适应性更强,速度更快,具有实际应用价值.     

城市合流排水管道水-沉积物界面污染研究进展

城市合流排水管道中水-沉积物界面物质在雨水径流的冲刷作用下会将其中的污染物重新释放排入受纳水体,成为水体面源污染的重要来源。综述国内外对水-沉积物界面物质的组成、污染特性及模型模拟方面的研究进展。将水-沉积物界面污染物分成有机层、近床固体层和流动泥沙层，其中有机层和近床固体层有较高的有机物含量和含水量,流动泥沙层含有较多的挥发性物质。研究表明：水-沉积物界面物质抗侵蚀性微弱,含水量是影响其剪应力的最重要因素；已有水-沉积物界面的模型模拟研究主要集中在利用模型预测近床固体对初期冲刷的污染贡献、有机层的污染物侵蚀量和近床固体层的生物降解量等。认为今后应加强对水-沉积物界面污染特性的研究，建立适合本地的水-沉积物界面污染贡献模型。     

等宽矩形断面挖深式消力池深度计算方法研究

为计算等宽矩形断面挖深式消力池深度,构造以收缩断面水深为横坐标,消力池深度为纵坐标的函数。作出相应函数的两条曲线,其交点的横坐标即为收缩断面水深。对曲线进行离散化,推导了收缩断面水深的表达式,进而推求出消力池深度及跃后水深。     

VB6.0中通用对话框控件的应用

通用对话框控件Common Dialog是用户与应用程序进行信息交互的界面,主要提供打开文件、存储文件、设置颜色、设置字体、打印及帮助6大方面的操作界面。文章对VB6.0中通用对话框控件Common Dialog的功能做了详细的介绍,也分别给出了该控件的6种使用场景的实例代码。     

多寡头云服务市场的价格博弈理论研究

认为云服务市场目前还处在发展过程的初期,尚未形成通用的云服务生态系统模型,市场被少数具备完全核心竞争力的寡头所垄断。针对由于缺少完善的协作策略与机制,市场内竞争与合作模式正在向以价格为导向的不良方向发展的问题,运用博弈理论,分别研究了在合作与非合作价格博弈下的均衡条件,为云服务提供商的良性竞争合作策略提供了理论依据。     

N,N'-对苯二亚甲基-双(十二烷基二甲基氯化铵)/AEO9复配体系表面活性研究

以对二氯苄(XDC)和十二烷基二甲基叔胺为原料,合成了阳离子双子表面活性剂N,N'-对苯二亚甲基-双(十二烷基二甲基氯化铵)(XBDDMA)。产物结构经红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(~1H NMR)和碳谱(~(13)C NMR)进行了确认。研究了XBDDMA与脂肪醇聚氧乙烯(9)醚(AEO_9)按不同摩尔比复配所得体系的临界胶束浓度(cmc)、平衡表面张力(γ_(cmc))及动态表面张力。结果表明,当n(XBDDMA)∶n(AEO_9)=1∶9~9∶1时,随XBDDMA含量增加,复配体系的cmc先降低后升高,表面活性剂分子在表面上的极限占有面积(A_(min))持续降低,当n(XBDDMA)∶n(AEO_9)=1∶1时复配体系的cmc最小,为2.27×10~(-6)mol/L,γ_(cmc)也最小,为33.06 m N/m;XBDDMA的添加降低了吸附初期的扩散能,从而降低了AEO_9的动态表面活性,二者复配不具有动态表面活性的协同增效作用。     

一种高精度低功耗数字温度传感器

提出了一种高精度低功耗数字温度传感器。采用内部寄生PNP管进行感温。设计了一种14位高精度Σ-Δ ADC,将前端感温单元输入的与温度相关的电压信号转换为数字信号,在数字域尺度变换,并最终输出。与使用传统逐次逼近型SAR ADC内核的温度传感器相比,提出的数字温度传感器具有更低的功耗。该传感器采用0.18 μm CMOS工艺设计并流片。测试结果表明,测温精度为±0.7 ℃(-55 ℃~125 ℃),芯片面积为1.2 mm²。