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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构,其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ,二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２,均比相同结构的生长体掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构样品有很大提高,证实了使用δ掺杂技术取代体掺杂技术可以获得电学性能更佳的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结构． 相似文献
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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延与ｐｉｐｉＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶和。结果表明,以ＴＭＡｌ为掺杂源的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延样品的二维空们浓度可达到１．１＊１０＾１３／ｃｍ＾２,比以ＴＭＧ为掺杂源的样品提高一个数量级,且其掺杂浓度对Ａｌ摩尔分数的依赖程度远使使用ＴＭＧ为低。实验还发现具有１０＾１５／ｃｍ＾２二维空穴浓度的Ｃδ反杂 相似文献
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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 TMAl为掺杂源的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延样品的二维空穴浓度可达到 1.1× 10 13 / cm2 ,比以 TMG为掺杂源的样品提高一个数量级 ,且其掺杂浓度对 Al摩尔分数的依赖程度远较使用 TMG为低 .实验还发现具有 10 15/ cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 pipi Alx Ga1-x As超晶格的迁移率与具有 10 13 / cm2二维空穴浓度的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延的迁移率几乎没有差别 ,证实了 pipi Alx Ga1-x As超晶格中各δ掺杂层的电子云交叠大大减弱了电离杂质散射 ,使迁移率得到显著提高 . 相似文献
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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明,改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在１５～８０Ｋ低温下发现高浓度Ｚｎδ掺杂ＧａＡｓ样品中出现反常霍耳导电行为． 相似文献
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