碳纳米管薄膜的场发射及其有效发射面积

讨论了薄膜与阳极间隔以及有效发射面积对碳纳米管薄膜场发射性能的影响。以磁控溅射Al和Ni在Si片上做为缓冲层和催化剂,以乙炔为C源气体,利用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。扫描电镜观测结果表明,碳纳米管的直径为50～80nm。采用二极管结构,测试了样品的场发射性能,结果表明碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为400μm时开启场为0.85V/μm、阈值场为1.22V/μm。F-N理论计算结果表明,碳纳米管薄膜的有效发射面积几乎不随场发射所加电压的变化而改变;有效发射面积随着薄膜与阳极距离的增加而增大。     

在家用微波炉中合成四针状ZnO

将锌粉和石墨粉以一定比例混合放入家用微波炉中,在微波辐照下燃烧生成了白色松软的ZnO膜,将此薄膜用扫描电子显微镜(SEM)、能量损失谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射光谱(XRD)分析其成分和形貌。结果显示,该ZnO为单晶四针状晶须,晶须直径为20~50nm,分析了它的生长机理并测试其场发射特性,得到该ZnO的开启场强较低为3.88V/μm,相应的电流密度为10μA/cm2,在场强为5.7V/μm时达到最大发射电流密度为0.39mA/cm2。     

水热法一步合成氧化锌纳米棒及其场发射特性的研究

利用极其简单的方法,即将氯化锌溶液和氨水按一定配比混合进行水浴加热制备了ZnO纳米棒,其直径约为100nm.利用扫描电子显微镜和能谱仪对其结构和成分进行了分析.场发射测试结果表明,所制备的ZnO纳米棒有较低的开启场和阈值场,分别为2.7V/μm和4.95V/μm,其场增强因子为5390.这样高的场增强因子来源于氧化锌参差的层状结构.     

金刚石薄膜场发射述评

介绍了金刚石薄膜的场发射机理,从理论和实验上分析了改进其场发射特性的观点和方法,结果证明:减小金刚石晶体尺寸以及在金刚石薄膜中掺杂一定量的杂质原子有助于改善金刚石薄膜的场发射性能.     

直接在金属基片上生长超长宏观定向碳纳米管

在水辅助氧化作用下，直接在金属镍片上生长出宏观上定向生长的螺旋状碳纳米管，其长度达到7mm，直径在100-200nm，测试其场发射特性，开启场强为1．6V／μm，最大发射电流密度可达6mA／cm^2。