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讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C-V特性曲线畸变,平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的t^n物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关.与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.AFM测试结果表明,提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级.微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式.该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础. 相似文献
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报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV)构成的五种多量子阱的发光特性,和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明,采用适度小的势垒带隙,既能将载流子有效限制在有源区,又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布,从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。 相似文献
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We investigate a novel GaAs-based laser power converters (LPCs) grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), which uses a single monolithic structure with six junctions connected by tunnel junctions to obtain a high output voltage. The LPCs with diameters of active aperture of 2 mm and 4 mm were fabricated and tested. The test results show that under an 808 nm laser, two LPCs both show an open circuit voltage of above 6.5 V. A maximum power conversion efficiency of 50.2% is obtained by 2 mm sample with laser power of 0.256 W, and an output electric power of 1.9 W with laser power of 4.85 W is obtained by 4 mm sample. The performances of the LPCs are deteriorated under illumination of high flux, and the 4 mm sample shows a higher laser power tolerance. 相似文献
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 相似文献
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GaInP材料生长及其性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用X光双晶衍射、Hall和光致发光研究了MOCVD生长的GaxIn1-xP(x=0.476~0.505)外延层.发现Ga组分随V/Ⅲ比的增大略有下降,认为是由于Ga-P键比In-P键强所造成的.77K下电子迁移率达3300cm2/(V·s).Ga0.5In0.5P的载流子浓度随生长温度升高、V/Ⅲ比的增大而降低,提出磷(P)空位(Vp)是自由载流子的一个重要来源.17K下PL峰能和计算的带隙最大相差113meV,这可能与GaInP中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关. 相似文献
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