无线无源声表面波传感器研究进展

声表面波（SAW）传感器是一种无线无源传感器,在无源传感、适应恶劣环境等许多方面具有普通传感器不能实现的优点.阐述了声表面波器件的原理和结构特点,并对射频信号收发、信息处理等关键技术进行详细论述,综述了近些年国内外的相关研究现状,并进行了总结与展望.     

多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.     

Mn对Fe_3Al合金室温力学性能的影响

Ｍｎ对Ｆｅ_３Ａｌ合金室温力学性能的影响楼白杨，刘茂森，毛志远，涂江平，肖延龄，钟映宏（浙江大学）Ｆｅ３Ａｌ金属间化合物具有抗氧化耐腐蚀性良、比强度高和成本低等特点［１，２］，从而具有可观的工程应用前景。对这种材料目前国内研究的热点之一是改善其室温塑?..     

Ni－18Cr－3．5Al合金在Cl_2－H_2O环境中的高温腐蚀

研究了Ｎｉ－１８Ｃｒ－３．５Ａｌ合金在５６５℃Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ混合气氛中的腐蚀行为，并用ＸＰＳ分析了腐蚀产物膜的结构。在高温Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ环境中的腐蚀由Ｃｌ２、ＨＣｌ造成的氯化过程和Ｏ２、Ｈ２Ｏ等造成的氧化过程共同引起。在高温Ｃｌ２环境中低含量Ｈ２Ｏ加速腐蚀过程，而高含量Ｈ２Ｏ延缓腐蚀过程。     

正极添加CNTs对MH /Ni电池高倍率性能的影响

对正极中添加多壁碳纳米管(CNTs)的MH／Ni电池的高倍率放电性能进行了研究。结果表明：正极中添加少量CNTs的Ni／MH电池具有优异的高倍率放电性能。利用正极中添加少量CNTs制成的标准AA型电池的内阻在14mΩ左右；在高倍率放电条件下电池有更高的放电平台，3C放电中值电压在1．167V左右，5C放电中值电压在1．108V左右；电池循环容量保持率也高于正极中不加CNTs的电池。随着循环次数的增加，正极中添加少量CNTs的电池内阻升高幅度较小。     

低辐射薄膜的研究进展

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.     

低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护中的应用

介绍了低共熔溶剂的性质及特点,综述了低共熔溶剂的国内外最新研究成果,特别是氯化胆碱基低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护的应用,分析了镁合金在低共熔溶剂中进行表面处理的可行性。概述了在含氯化胆碱的低共熔溶剂介质中,通过热场、声场、电场以及DES液膜法调控开展镁合金表面化学转化膜的制备、耐蚀机理及反应介质的作用研究,同时将低共熔溶剂与疏水性仿生膜结合,设计出镁合金表面自愈合超疏水涂层。利用低共熔溶剂制备的转化膜的耐蚀性均明显高于镁合金基体,其腐蚀电流密度明显下降。最后对镁合金腐蚀防护的研究现状和方向进行了展望,希望对解决镁合金腐蚀起到一定的指导意义。     

不同结构的碳纳米管的氢吸附行为

Several kinds of multi-wall carbon nanotubes (MWNTs) with different morphology were synthesized using catalytic decomposition of hydrocarbons over different metal catalysts.The products were characterized by TEM, HREM and SEM. Hydrogen adsorption properties of the MWNTs were investigated by volumetric measurement at room temperature under a modest pressure(6—7 MPa).The results indicate that both the structure of the MWNTs and the metal catalysts will affect the hydrogen adsorption capacity of the sample...     

FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。