氮化温度对有机沉淀法制备GaN纳米粉体的影响

首次报道了以硝酸镓（Ga（NO3）3）为原料,采用有机沉淀法在碱性条件下制备出含Ga的前驱体,将该前驱体在950-1 050℃之间利用氨气（NH3）直接氮化合成了GaN纳米粉体,并利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）技术对所制备的GaN纳米粉体分别进行了物相组成、显微形貌和发光性能分析.结果表明：有机沉淀法制备的含Ga前驱体粉体在不同氮化温度下均生成了高纯度六方纤锌矿型GaN纳米粉体,其粒径小于100 nm,且均匀分散;随着氮化温度的增高,GaN纳米粉体的颗粒度下降,结晶度增强;1 050℃氮化合成的GaN纳米粉体发光性能最优异.     

燃烧合成-维纳米结构AIN及其生长机理研究

以铝粉（A1）和NH4F为主要原料,Nb为添加剂,在N2压力小于0．5MPa的条件下采用高温自蔓延燃烧法（SHS）合成了一维纳米结构的AlN粉体,并通过差热分析（TG／DSC）分析了Al—N2体系的热力学机理,运用X-射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜（SEM）分析了所合成一维纳米结构AlN的物相组成和显微结构．结果表明,当Al：NH4F为4：1（wt％）时,在添加剂Nb的作用下,合成的产物主要为一维纳米结构六方长针状AlN,该粉体纯度高、晶体结构完整,且沿（100）存在明显择优取向;所合成的一维纳米结构AlN的生长机理属于SLS生长机理．     

微波水热及氨化法制备GaN纳米棒

以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒。采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征。研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成。XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好。光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰。中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用。     

燃烧合成一维纳米结构AlN及其生长机理研究

以铝粉(Al)和NH4F为主要原料,Nb为添加剂,在N2压力小于0.5 MPa的条件下采用高温自蔓延燃烧法(SHS)合成了一维纳米结构的AlN粉体,并通过差热分析(TG/DSC)分析了Al-N2 体系的热力学机理,运用X-射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜(SEM)分析了所合成一维纳米结构AlN的物相组成和显微结构.结果表明,当Al∶NH4F为4∶1(wt%)时,在添加剂Nb的作用下,合成的产物主要为一维纳米结构六方长针状AlN,该粉体纯度高、晶体结构完整,且沿(100)存在明显择优取向;所合成的一维纳米结构AlN的生长机理属于SLS生长机理.