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1.
为了探讨冷却速率对高温超导材料YBa2Cu3O7-δ的超导电性的影响,采用固相反应法和快速冷却法制备系列样品YBa2Cu3O7-δ.R-T测试结果表明,随着退火速度的加快,样品的零电阻温度Tc0逐渐降低,超导电性逐渐减弱,转变宽度△Tc逐渐变宽,样品的超导品质逐渐变差;当急速退火时,样品完全失去超导电性.这证明:冷却速率对超导电性有较大的影响.  相似文献   
2.
利用X射线衍射(XRD)、正电子湮没等实验技术对Fe掺杂稀土超导体系GdBa2Cu3-xFexO7-δ(x=0.00-0.30)的晶体结构、局域电子密度n.以及超导电性进行了系统研究.实验结果表明,当Fe掺杂量在x=0.10附近时,体系的晶体结构发生了正交-四方相变.随Fe含量的增加,体系的超导转变温度逐渐降低,且超导...  相似文献   
3.
以稀土氧化物Eu_2O_3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(质量比:x=0,0.2%,0.5%,1%)的CCTO陶瓷样品,利用SEM、XRD、4294A型高精密阻抗分析仪等测试手段对样品的微观结构、介电性能和交流电阻率进行了测试分析.掺杂之后样品的晶格结构并未发生改变,但是样品内部相对晶相含量和晶粒平均尺寸减小,同时掺杂阻碍了样品内部晶界处富铜相的生成;纯CCTO的XRD图谱中分别出现了CuO、TiO_2和CaCO_3杂相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;样品的介电性能与相同组分材料内部的相对晶相含量,晶粒平均尺寸和晶界处富铜相有很大关系.Eu_2O_3掺杂提高了样品介电性能的频率和温度稳定性.当掺杂量为0.2%和0.5%时,样品的介电性能得到较好改善效果.样品在低频40Hz和高频3.5MHz的交流电阻率测量结果很好的验证了Eu_2O_3掺杂导致的微结构变化对样品介电性能的影响.  相似文献   
4.
类金刚石薄膜的光吸收及其禁带宽度的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
首先从理论上探讨了非晶材料的光吸收规律,与晶体材料的光吸收规律有所不同,它不满足k守恒的选择定则.从而得出了计算非晶材料禁带宽度的方法.又通过实验验证了上述规律,并发现了新型材料类金刚石薄膜的禁带宽度比其它半导体的禁带宽度大  相似文献   
5.
用Ca替代YBa2Cu3O7-δ中的Ba,利用XRD对系列样品YBa2-xCaxCu3O7-δ的晶体结构进行研究,结果发现,随着替代量的增加(x=0~0.2),样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对替代样品YBa2-xCaxCu3O7-δ的超导电性能进行系统测量,结果表明,随着Ca替代量的增加,超导转变温度总体呈明显降低趋势.  相似文献   
6.
系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50~60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.  相似文献   
7.
利用四引线电阻测量和SEM结构分析实验,研究了950℃下不同烧结时间对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)超导体的输运特性、缺陷和显微结构的影响。实验表明,950℃温度条件下,在12h-72h范围内,Y-123体系的室温直流电导率增大,晶粒发育良好,缺陷浓度超于饱和。在此烧结条件下,Y-123超导样品超导性能稳定,相关实验结果具有足够的可靠性和稳定性。  相似文献   
8.
为探究稀土离子Gd3 的Y位掺杂对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)体系晶体结构和局域电子结构的影响,利用正电子湮没和X-射线衍射(XRD)实验对Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0-1.0)系列样品进行了系统研究.XRD实验表明,Gd离子的Y位替代使得样品晶胞参数增大,但所有样品均保持与YBCO相同的单相正交结构.输运测量表明,各实验样品超导转变温度Tc均在90 K以上,且整体上随Gd3 离子含量的增加而增加.正电子实验结果给出局域电子密度ne随Gd掺杂浓度x的增加而减小.  相似文献   
9.
针对不确定度在物理实验的数据处理中存在的不规范问题,简明系统地引入不确定度的概念、评定和修约.通过表征合理地赋于被测量值以分散性,评定实验的测量误差和评价实验质量,从而实现了不确定度的评定.它有助于物理实验课程与现代工程技术和计量技术接轨,且对不确定度在物理实验课程中的应用有指导作用.  相似文献   
10.
首先从理论上探讨了非晶材料的光吸收规律,与晶体材料的光吸收规律有所不同,它不满足k实恒的选择定则,从而得出了计算非晶材料禁带宽度的方法,又通过实验验证了上述规律,并发现了新型材料类金刚石薄膜的禁带宽度比其它半导体的禁带宽度大。  相似文献   
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