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探讨采用氯金酸金扩散代替惯用的蒸金扩散工艺。利用正向开路电压衰减法测量了扩金后的少子寿命并近似地估算了掺金浓度。利用X射线衍射仪对蒸金和涂敷氯金酸扩散的情况进行了X射线衍射峰谱的对比分析。结果表明所用的氯金酸是一种节能常源性能良好的扩散源。 相似文献
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优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ～Ⅳ族元素化合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｎ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触．并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析． 相似文献
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优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ－Ⅴ族元素合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｕ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触，并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析。 相似文献
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高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得到广泛应用，通过Ｃ－Ｖ特性测量分析半导体材料及其表面的性能，可获得有关半导体的多种... 相似文献
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