一个新的最优化算法

本文提出了一个新的最优化算法,它对目标函数采用高阶近似,不需要计算导数,也不需要进行一维搜索,且收敛速度较快。该算法已用于通用电路分析和设计程序ADIC-2,数值计算及电路设计的例子表明该算法是十分有效的。     

一个通用电路分析程序ADIC-1

本文介绍通用电路分析程序ADIC—1,该程序配有方便用户的电路输入语言,采用改进型节点法建立网络方程,同时采用适合改进型节点法的新的稀疏矩阵算法和新的非线性迭代算法及新的隐式变阶变步长积分算法,使得程序有较高的效率。程序除了常规的直流、交流和暂态分析以外,还有直流和交流灵敏度分析。该程序内建有二极管,分立和集成双极晶体管,结型场效应管和MOS管的模型,利用子电路语句,用户还可以自定义新的器件模型,为集成电路和分立元件电路的分析和设计提供了强有力的工具。     

053—2微处理机

053—2微处理机采用I~2L工艺,字长8位,指令系统包括Intel 8080的全部指令。本文给出该微处理机的设计。已用TTL小规模集成电路组装了模型机,验证了设计的正确性。     

一个新的基于波形松弛的电路模拟程序

本文以波形松弛(WR)法为基本方法,实现了一个新的大规模MOS数字集成电路时域瞬态模拟程序WRMT。同时,给出了新的部分波形收敛算法和潜等算法,加速了波形的收敛速度。初步的计算已表明,WRMT的模拟速度至少可以比标准电路分析程序SPICE_2快5倍以上。     

适于电路分析的解刚性常微分方程的有效算法

本文基于不等距牛顿插值,简捷地导出了一个新的积分公式及其截断误差。新的算法比Gear、BDF、PBD方法稳定、有效,它的积分步数、牛顿迭代次数及Jacob修改次数均可明显减少。文中还讨论了自开始、自动变阶变步长、输出点插值以及程序组织方法,并用计算实例对算法的效果进行了检验。     

半导体器件有限元分析的网格自适应剖分技术

本文给出了一种用于半导体器件有限元分析的网格自适应细分技术。计算表明,这种方法可以显著地减少网点和非线性迭代次数,从而显著地减小了计算成本,提高了分析的效率。     

一个新的稀疏矩阵算法

本文给出一个适合于改进型节点法的稀疏矩阵算法。该算法既利用了节点导纳矩阵的对角优势,又充分利用了稀疏结构的对称性。具有存贮节省,执行快速的特点。     

半导体器件的两维数值分析

本文给出了一个新的半导体器件两维数值分析程序SDA—1,该程序可对双极晶体管及MOS场效应晶体管进行有限元法两维数值分析。程序采用了符号LU分解的稀疏矩阵技术、有限元网格的自适应细分技术及改进的非线性迭代技术,使得器件分析的速度显著提高。     

两维半导体器件的稳态数值计算

本文给出了一个新的两维半导体器件分析程序SDA-1。它采用了较完全的器件物理模型,同时在数值方法上采用了符号Lu分解的稀疏矩阵技术,有限元网格的自适应剖分技术及改进的非线性迭代技术,使器件分析的速度显著提高。     

集成双极晶体管模型——由工艺和几何参数获得EM_2和GP模型参数

本文提出的集成双极晶体管模型,对一维模块模型本身作了多种改进,并将其推广到高偏压、大注入范围,能处理代表性很强的四种基本晶体管等图形。用本模型程序可由工艺和几何参数算得双极晶体管的EM_2或GP模型参数。本文还给出了比较精确简单的多射管的总体模型。用本模型对单管和IC(集成电路)性能的计算结果,与实测值相符较好。