退火条件对注Mn GaAs结构的影响

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.     

深圳水库大型渡槽的规划设计与施工

深圳水库渡槽长48m,是我国跨度最大的预应力钢筋混凝土渡槽,也是一座箱形简支梁渡槽和断面及过水流量最大的渡槽。对该渡槽的规划及结构方案进行了比较,介绍了渡槽的设计、施工及应力测试结果的分析,对大跨度、大流量渡槽的规划、设计与施工有一定的参考价值。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

深圳市雁田水库大跨度输水管桥设计与计算

为缩短施工工期，降低工程投资，充分利用钢管的输水和跨越能力，建造大跨度大型输水管桥，是我国水利工程建设的发展方向之一。本文以深圳市龙口——茜坑供水工程新建雁田水库管桥的工程实例，简要介绍了其设计、结构静力计算手段，为同类型工程设计与建设提供了重要的技术借鉴和实践经验。