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X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Sb)Si晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Sb原子深度分布，所得结果表明，300℃以下是用分子束外延方法在Si晶体中生长Sb原子δ掺杂结构的合适温度。 相似文献
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在(0001)取向的蓝宝石(α-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000A的Al0．22Ga0．78N／GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明,样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫,而且具有一种“非常规”应变弛豫状态,这种弛豫状态的来源可能与n-AIGaN的内部缺陷以及i-GaN／α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的,由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态,与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致。 相似文献
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本通过高分辨X射线衍射及掠入射(GID)的实验方法对生长在SrTiO3衬底上的LLa2/3Ca1/3MnO3和YBaCu3O7单层膜及YBa2Cu3O7-x/La2／3Ca1／3MnO3异质结构双层薄膜的微结构进行了研究。结果发现,所有薄膜都呈c向生长。由于热膨胀系数的不同而引起的热应力使得LCMO膜的晶格参数与靶材的相差较大。La2/3Ca1/3MnO3在单层腹及双层膜中都由靶材的立方结构变成了薄膜状态的四方结构。YBa2Cu3O7在单层膜及双层膜中都由靶材的正交结构变成了薄膜状态的四方结构。La2/3Ca1/3MnO3膜与YBa2Cu3O7膜在不同的样品中处于不同的应力状态。 相似文献
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采用7、12.5和25 m/s的甩速制备Fe77Ga23甩带合金(分别命名为样品S7,S12.5和S25)。高分辨X射线衍射谱表明:样品的主体相均为A2相,在样品S12.5和S25中观测到了修正DO3相,同时发现样品S25具有较强的(100)织构。Ga的K边扩展边X射线吸收精细结构谱表明:随着甩速的增大,Ga的次近邻Ga原子个数减少并伴随着次近邻Ga—Ga键长收缩。在所有样品中均未发现Ga原子团簇。研究表明:样品S7中短程有序的富Ga相和大的局域应变对样品S7的磁致伸缩性能并无明显影响,(100)织构和修正DO3相共同促进了Fe77Ga23甩带合金的磁致伸缩性能。 相似文献
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用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关 相似文献
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利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化。发现当偏压小于300 V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300 V时薄膜密度最大;当偏压大于300 V时,薄膜密度减小。另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布。 相似文献
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Ｘ射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射Ｘ射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Ｓｂ）Ｓｉ晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Ｓｂ原子深度分布。所得结果表明，３００℃以下是用分子束外延方法在Ｓｉ晶体中生长Ｓｂ原子δ掺杂结构的合适温度。 相似文献