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采用中频感应提拉法,生长铥镱共掺钨酸钆钠[Tm,Yb：NaGd（WO4）2,Tm,Yb：NGW]激光晶体;讨论了Tm, Yb：NaGd（WO4）2晶体生长工艺参数,获得了合适的晶体生长工艺参数：拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。研究了Tm,Yb：NaGd（WO4）2晶体的荧光光谱。结果表明,在980nm激光的激发下,该晶体在1031mm、1772nm附近获得了较强的荧光发射,分别对应于Yb3+离子的2F5/2→2F7/2能级跃迁以及Tm3+离子的3F4→3H6能级跃迁,1772nm处的半高宽为72nm左右。 相似文献
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采用中频感应提拉法,生长钬镱共掺钨酸钆钠[Ho,Yb：NaGd（WO4）2,Ho,Yb：NGW]单晶;获得了合适的Ho,Yb：NGW晶体生长工艺参数：拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。测试了晶体的红外光谱和拉曼光谱,对晶体振动进行了归属。研究了Ho,Yb：NGW晶体的荧光光谱,结果表明：Ho,Yb：NGW晶体的荧光光谱波长位于1.90~2.05mm范围内,呈带状连续分布,其中最强峰的发射波长为2043nm,对应Ho3+的5I7→5I8能级跃迁,半峰宽约为100nm。 相似文献
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采用中频感应提拉法,在氩气和四氟化碳气氛下,生长掺钬氟化钇钡[Ho:BaY_2F_8]激光晶体;针对Ho:BaY_2F_8晶体生长工艺参数进行了讨论,获得了合适的晶体生长工艺参数范围:拉速0.5~1mm/h,转速5~7rpm;研究了Ho:BaY_2F_8晶体在中红外的荧光光谱。结果表明,在889nm激光器的激发下,该晶体在3.9μm附近获得了较强的荧光发射,对应于Ho离子的~5I_5→~5I_6跃迁,Ho:BaY_2F_8晶体在3.9μm附近的中红外激光器中有较大的应用前景。 相似文献
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