血氨分析仪软件设计及校准方法

本文对采用干化学试剂片的反射式血氨分析仪的工作原理作了简要介绍,并对仪器的软件设计及校准方法作了详细深入的探讨。     

薄膜型冷阴极电子源发光器件延迟特性的分析

利用金刚石及其相关薄膜制作冷阴极电子源,以及这类电子源在平板显示器件上应用的研究,是真空电子领域中一个重要的研究课题.本文对已研制成功的薄膜型冷阴极电子源发光器件进行了响应延迟特性的研究.同时分析导致器件产生延迟响应的因素,提出相应的电路模型.由此模型得到的理论结果与实验结果相吻合.     

氮化铝纳米锥有序阵列的低温制备及场发射特性研究

由于氯化铝纳米锥拥有低电子亲和势和高长径比,因而可以在低电场下实现场发射.制备成纳米锥阵列后可能在低电场下使电子逸出表面而实现场电子发射,我们通过热蒸发三氯化铝粉末的方法,在600℃下在硅片和ITO玻璃上沉积生长出大面积纳米锥阵列.纳米锥的平均长度为500 nm.顶端直径为10 nm,我们获得的氮化铝纳米锥为六方晶体结构,生长方向为[001].场发射测试的结果表明,AlN纳米锥的开启电场(电流密度为10μA/cm21约为5 V/μ m.阈值电场(电流密度为lmA/cm21,约为9 V/μ m,最高电流密度可达3 mA/cm2,这表明其在未来的冷阴极材料中有着很大的应用前景.     

SmB6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究

作为一种典型的近藤拓扑绝缘体, 近年来六硼化钐(SmB₆)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比, SmB₆纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态, 因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态, 所以研究SmB₆纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法, 通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB₆纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明: 所制备的SmB₆纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现: SmB₆纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm, 最大电流密度达到了466.16 μA/cm ², 其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB₆拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态, 所以若可以进一步提高其场发射特性, 那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。     

氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中。     

实用宾馆客房信息服务系统

利用宾馆酒店等旅游业单位现有的闭路电视系统、程控电话交换系统和计算机管理系统，为住店客人提供更多、更方便的信息服务。客人只需在客房通过电话线路接通信息服务系统的计算机，系统就会通过闭路电视网将所需的信息和服务送到客房电视机；客人通过菜单选择式操作，便可得到所需的信息和服务。这个系统还很容易扩展到住宅、办公楼乃至一个城市。     

DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性

碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件.如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题.选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处理.场发射实验表明,经DLC薄膜处理后的碳纳米管冷阴极的场发射开启电场强度由3.3 MV/m下降至1.9 MV/m,相应的阈值电场强度也从6.5 MV/m下降至5.3 MV/m,并且在场发射性能提高的同时场发射的均匀性没有受到影响.DLC膜处理可以作为一种改善碳纳米管冷阴极场发射特性的技术.     

基于极点聚焦全极点滤波器减小LCD运动模糊的方法

提出一种基于极点聚焦技术的减少LCD运动模糊效应的方法,通过建立二维全极点滤波器,采取分块处理方法对视频信号进行处理,并采用模拟仿真的方法进行实验评估,结果表明极点聚焦全极点滤波器对于减小LCD的运动图像模糊具有一定的效果,尤其是在图像高频出现的地方效果明显.所提出的方法具有算法简单,便于硬件实现的优点.     

塑料基底a-Si∶H TFT制备技术

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。     

大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究

报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30～125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3V/μm,阈值电场为12.2V/μm,最大电流密度达1440μA/cm2。这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。