主风机组轴瓦温度异常分析及对策

催化主风机组日常运行中轴瓦温度持续偏高,通过对影响主风机组轴瓦温度的各种因素进行逐项分析,查找出问题原因,制定日常操作运行方案,最终在检修中确认故障原因为轴瓦间隙不合适所致,并予以消除,为以后类似故障处理提供了经验.     

工艺参数对低压TVS器件耐压的影响

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.     

pnp型SiGe HBT的制备研究

从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发，阐述pnp型Si/SiGe HBT的较大原理，采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料，并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特性和异质结特性进行表征，在重庆固体电子研究所工艺线上，研制出了pnp型Si/SiGe HBT器件，器件参数为：Vcb0=9V,Vcc0=2.5V,Veb0=5V,β＝10。     

纤维基AKD胶解决传统AKD施胶问题

虽然AKD改性纤维已成功地通过中试,但它至今仍不能广泛地应用于造纸工业. 　　而某一特殊纤维素纤维生产厂家又有了生产纤维基造纸助剂的想法.约2年前,这家厂开始生产这一类助剂,包括纤维和施胶剂的化合物、氟化物、杀菌剂等.……     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)     

北京地铁 换乘太折腾

北京地铁近年发展迅猛,发车间隔时间的缩短、车票的低价等等,都给乘客带来了实惠。然而,目前换乘仍有许多不便之处。     

多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上，根据国内现有的双极工艺水平，设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程，并给出了一个最小尺寸晶体管的版图，最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。     

添加剂用量在线自动控制

通过在瑞典一台高速新闻纸机上的在线测量设备自动控制定着剂（凝结剂）、助留剂以及除气剂的用量,不仅提高了纸机的生产稳定性和产品的质量,而且有效降低了生产成本。     

用活性污泥吸附助凝处理棉秆半化学浆废液

用硫酸铝钾和阳离子聚丙烯酰胺对棉秆半化学浆制浆废液进行混凝处理实验.利用生物活性污泥对有机污染物的吸附作用,将好氧生物剩余活性污泥加入到棉秆半化学浆制浆废液中,可有效提高制浆废水的絮凝处理效果.对生物污泥的加入量、吸附反应时间、反应温度、反应pH值等影响因素进行了研究和优化.结果显示,CODcr去除率达到:82.5%,比不加生物污泥提高了约18个百分点,助凝效果显著.     

工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。