Ta掺杂VO2多晶薄膜的相变特性

以氧化二乙酰丙酮合钒（C10H14O5V）为前驱体,乙醇钽[Ta（OC2H5）5]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si（100）和SiO2/Si衬底上制备了V1-xTaxO2（x=0-0.1）多晶薄膜。XRD谱图显示薄膜呈（011）面取向生长。随着Ta掺杂量的增大,d（011）基本呈线性增大表明Ta替代了V在晶格中的位置,实现了替位掺杂。每掺杂1%原子比的Ta,相变温度降低7.8℃,相变热滞减小1℃。SiO2/Si衬底上5%原子比掺杂薄膜的相变温度为29.5℃,室温（300 K）电阻-温度系数（TCR）为-8.44%/K。两种衬底上掺杂V0.9Ta0.1O2薄膜的升温和降温电阻-温度曲线基本重合。实验结果显示,Ta是降低VO2薄膜的相变温度和消除相变热滞的有效掺杂剂。     

溶胶凝胶法制备多孔SiO_2薄膜的新方法

以氨水、醋酸为催化剂,用正硅酸已酯(TEOS)为Si源,甘油作为防裂剂,聚乙烯醇(PVA1750)作为致缓剂和发泡荆,制作多孔SiO2薄膜.碱催化使得硅.羟基化合物的溶解度增大,并抑制了Si02的聚合,弱酸的二步催化使硅-羟基化合物聚合成10～100 nm的胶粒.丙三醇和TEOS水解的中间体Si(OC2H5)4-x(OH)x硅羟基形成氢键,抑制了硅-羟基化合物的聚沉,PVA的存在减缓了溶胶的聚合,在快速退火炉热处理时产生多孔结构.多孔SiO2的厚度在3μm内可调.