反应磁控共溅射制备Ti掺杂的Cu_3N薄膜的特性研究

为了研究钛掺杂对Cu_3N薄膜特性的影响,利用射频和直流反应共溅射方法,在硅(100)和ITO玻璃衬底上,成功制备了不同Ti掺杂量的Cu_3N薄膜(Ti-Cu_3N薄膜).通过X射线衍射(XRD)发现,Ti-Cu_3N薄膜的结晶度均低于未掺杂的Cu_3N薄膜,但是随着Ti掺杂量的增加,结晶度增强.Ti-Cu_3N薄膜的晶格常数随着Ti掺杂量的增加先增后减,但均接近于Cu_3N的理论值.扫描电子显微镜(SEM)图片显示,随着Ti掺杂量的增加,薄膜表面变得粗糙,晶粒大小变得均匀.薄膜的微观硬度在Ti掺杂量为1.86at%时达到5.04GPa,而未掺杂的为4.19GPa.随着Ti掺杂量的增加,薄膜电阻率逐渐从未掺杂的5.73kΩ·cm下降到Ti掺杂量为1.86at%时的1.21kΩ·cm.Ti的掺杂使薄膜的平均反射率变大,但过量的Ti会导致透过率下降.随着Ti掺杂量的增加,薄膜的带隙先增大后减小,Ti掺杂量为1.60at%时获得1.39eV的最大带隙值.     

磁控溅射法制备的不同衬底上的TiO_2薄膜

利用射频磁控溅射方法,分别在改变氧气含量和沉积时间的条件下在ITO玻璃、Si和Al/ITO玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,并利用拉曼光谱表征了2种条件下的TiO2薄膜的结构.研究表明：衬底材料、氧气含量以及沉积时间明显地影响了TiO2薄膜的结构.随着氧气含量的降低,沉积在ITO玻璃衬底上的TiO2薄膜由锐钛矿和金红石的混合结构转变为单一的金红石结构,而沉积在Si衬底上的TiO2薄膜的结构没有改变,并保持单一的金红石结构;随着沉积时间的增加,Al/ITO玻璃衬底上的TiO2薄膜由金红石结构转变为锐钛矿结构.     

TCR型SVC装置在直流电炉电能治理中的应用

某钢厂直流电炉原有配套的滤波补偿装置已无法满足电炉系统电能质量治理的要求,本文分析了原有装置存在的问题,根据现场负载的测试结果,确定了改造方案,并给出了应用TCR装置改造后的动态补偿和谐波抑制的效果,为类似问题提供了借鉴。     

低压动态无功补偿装置在无缝钢管轧机的应用

针对轧钢厂主轧机的电能质量治理问题,提出了在整流变二次侧装设低压TCR+FC型动态无功补偿装置的新型解决方案,并根据实际工程案例对低压动补和高压动补两种方案进行了分析对比,为实施类似工程提供了借鉴。     

中频冶炼炉分频谐波频率移动现象及其机理

在冶炼过程中,为了提高生产效率,降低冶炼能耗,中大容量中频冶炼炉往往采用了频率自动调节的控制方法,造成了严重的且频率移动的分频谐波污染;对该现象产生的机理进了定性分析,并得到了实际工程测试数据的验证;为今后该类设备电能质量治理工程的设计、实施提供了有益的借鉴。     

热轧板厂精轧机活套控制

论述了从德国引进的新型的液压活套系统的工作原理和控制的实现方法.     

一种新型无功补偿方式

论述了运用PWM整流器实现无功功率补偿的ML变频系统的工作原理、电路结构和控制的实现方法。