Al,Ni掺杂ZnO的电子结构与光学性质

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了纯ZnO和分别掺摩尔分数均为6.25%Al,Ni的ZnO的能带结构、电子态密度分布及光学性质。计算结果表明:ZnO掺杂Al,Ni后,其Fermi面均上移并进入导带;Zn0.9375Ni0.0625O的能带结构在导带底附近出现了4条杂质带。纯ZnO,Zn0.9375Al0.0625O和Zn0.9375Ni0.0625O的光学性质在低能处有较大的差异,其中Zn0.9375Al0.0625O在可见光区的吸收系数和反射率较之另外两种材料都相对较低,但三者的光学性质在高能处却非常相似。Zn0.9375Al0.0625O的吸收边有蓝移的趋势,而Zn0.9375Ni0.0625O的吸收边红移。掺杂Ni对ZnO的吸收系数等光学性质的改变更为明显。     

常规变电站综合自动化改造中的问题

近年来,随着"两网"改造的深入和电网运行水平的提高,大量采用远方集中监视、控制等变电站综合自动化系统,既提高了劳动生产率,又减少了人为误操作的可能。但在综自改造过程中出现的问题比较多,涉及技术标准、设备性能、GPS对时、监控稳定性等多方面。文中结合变电站综自改过程中遇到的实际问题,做出相应分析,找出解决这些问题的合理方案,使得变电站综自改造技术进一步成熟化。     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂量的变化规律,结果表明:随着电荷补偿剂含量的增大,BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+的发射强度均出现先增大后减小趋势;K+具有更好的补偿效果.色参数测量结果表明,该荧光粉是一种较好的用于白光发光二极管的红色荧光粉.

Abstract：

Eu3+ doped BaAl2Si2O8 phosphors were synthesized by a high temperature solid state method, and the luminescent properties were also investigated. The structure characteristics of the luminescent materials were determined by X-ray powder diffractometer. Photoluminescence measurements indicate that the phosphors exhibit a bright red emission centered at 615 run excited by near ultraviolet. The optimal concentration of the doping Eu3+ in BaAl2Si2O8:Eu3+ phosphor was 0.08 mole. The influence of concentration of Li+, Na+ and K+ on the emission spectra of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ were analyzed. The results show that the emission intensity of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ firstly increases and then decreases with increasing the concentration of charge compensator, and K+ has better compensation effect The color parameters indicate that this phosphor is a superior red phosphor candidate for white light-emitting diodes.     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+...     

A1,Ni掺杂ZnO的电子结构与光学性质

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了纯ZnO和分别掺摩尔分数均为6.25%A1,Ni的ZaO的能带结构、电子态密度分布及光学性质.计算结果表明:ZnO掺杂A1,Ni后,其Fermi面均上移并进入导带;Zn0.9375Ni0.0625O的能带结构在导带底附近出现了4条杂质带.纯ZnO,Zn0.9375A10.0625和Zn0.9375Ni0.0625O的光学性质在低能处有较大的差异,其中Zn0.9375A10.0625O在可见光区的吸收系数和反射率较之另外两种材料都相对较低,但三者的光学性质在高能处却非常相似.Zn<<0.9375>A10.0625O的吸收边有蓝移的趋势,而Zn0.9375Ni0.0625O的吸收边红移.掺杂Ni对ZnO的吸收系数等光学性质的改变更为明显.