一种新型的超导磁场单晶炉的研制

磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单昌生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流,采用这种方式既可以生长出优质的单昌又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响,本文报道了新近自行设计,制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉。     

太空熔体生长砷化镓单晶

本文介绍利用一种将单晶锭条两端固定,中间可以重熔以建立悬浮熔区的反应容器,在回地卫星的微重力环境下用45分钟从熔区两端相向生长出中部直径为1cm,长度分别为10mm和7mm的两块火炬头状砷化镓单晶.对地面生长和空间生长7mm长单晶用KOH溶液为电解液的阳极腐蚀法显示,结果表明:在地面生长的籽晶部位观察到了由重力驱动对流引起温度涨落而造成的密排杂质条纹,在与籽晶相邻接的空间生长单晶部位未观察到这种类型的杂质条纹.同时观察到太空生长单晶边缘附近存在杂质条纹以及在太空单晶末端附近边缘出现胞状结构,它们可能是因降温速率快过冷所致.经熔融KOH腐蚀显示,在地面单晶和10mm长空间单晶交界面出现密排位错,靠近交界面的太空生长单晶位错密度较低,随着晶体生长位错密度逐渐增高,太空生长单晶边缘附近位错密度高于中心区域.     

Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究

研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。     

GaSb太阳电池阳极氧化膜的研究

讨论了ＧａＳｂ太阳电池阳极氧人原减反射特性，利用ＡＥＳ和ＸＲＤ分析了氧化膜的组成和结构，实验制备的ＧａＳｂ太阳电池效率为５％。     

Outer space grown semi-insulating GaAs and its applications

GaAs single crystal has been grown in recoverable satellite. Hall measurements indicate that the GaAs shows semi-insulating behavior. The structural properties of the crystal have been improved obviously, and their uniformity has been improved as well. The stoichiometry and its distribution in space-grown GaAs are improved greatly compared with the GaAs single crystal grown terrestrially. The properties of integrated circuits made by direct ion-implantation on space-grown GaAs are better than those made on ground-grown materials. These results show that the stoichiometry in semi-insulating GaAs seriously affects the properties of related devices.     

砷化镓气相外延生长反应系统的研究

一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统,采用Ga-AsCl_3—H_2系统是首要的,而且是必不可少的。由于AsCl_3具有极强的腐蚀性,能够提供制作反应系统的材料是很少的,只有石英、聚四氟乙烯等材料。虽然氟橡胶具有耐腐蚀,优良的机械弹性等优点,为许多工作者所采用,但是大量事实说明氟橡胶仍经不住AsCl_3的强烈腐蚀,并且是外延材料质量低劣的重要原因之一。因此,设计并建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统     

Ag／AuGeNi／n—GaSb欧姆接触的研究

研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０°－４５０°下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此进接触电阻率为６．７×１０＾－４Ωｃｍ＾２。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。