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以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53%,6.25%和14.52%,原子数分数分别为1.68%,1.42%和5.32%.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85. 相似文献
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采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu2O薄膜样品。紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征结果显示,Cu2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu2O的择优生长面为(111)面,其衍射峰强度比Cu2O明显增强;Cd/Cu2O样品表面与Cu2O对比变得光滑,粒径由Cu2O的1.0~3.0μm减小到Cd/Cu2O的0.3~0.9μm。 相似文献
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铈与氯代磺酚S的氧化褪色反应及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了铈与氯代磺酚S的褪色反应,借此建立分光光度法测定铈。试验表明:在H2SO4介质中,氯代磺酚S被Ce(Ⅳ)氧化褪色的程度与存在的铈量成良好的线性关系,体系最大吸收波长为560nm,ε560=1.01×10^4L·(mol·cm)-1,铈量在0 ̄6μg·mL^-1范围内符合比尔定律。方法具有较好的选择性,而且操作简单、快速、准确等优点,经用于稀土氧化物标准样和试样中铈的测定,结果满意。 相似文献
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采用阳极氧化法在纯钛表面制备出了TiO2纳米管阵列薄膜.以罗丹明B为目标降解物,20W紫外灯(λ =253.7 nm)作为光源,探讨了制备Au-TiO2纳米管阵列(Au-TNTs)的最佳工艺,并采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、能谱分析(EDS)等对样品进行了表征.结果表明,以1g/L HAuC14+ 30 g/L H3BO3为沉积液,当沉积电压为2.5V、超声条件下电沉积时间为60 s时,可制得理想稳定的Au-TNTs;Au掺入量占薄膜质量的16.71%,Au的掺入并没有改变TiO2纳米管阵列的表面形貌及晶型,但却显著提高了TiO2纳米管阵列的光催化活性.将Au-TNTs用于制糖废水的光催化降解,结果发现:当光照时间为30 h、pH值为1时,Au-TNTs对制糖废水的光催化降解率可达89.59%,比TNTs高出80%.Au-TNTs对制糖废水的光催化降解过程符合一级动力学过程. 相似文献
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纳米粒子(颗粒)及粉体制备专题文献统计分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过文献检索 ,对 1994~ 2 0 0 1年间有关纳米粒子 (颗粒 )及粉体制备专题文献进行了统计分析 ,发现其制备研究在 2 0 0 1年达到高潮 ,本科院校和中国科学院各研究所为它的主要研究机构 ;其制备方法从传统的热化学方法发展到了电化学方法、光化学方法等 ;制备出的纳米粒子及粉体 ,有单一型的单质或化合物 ,也有复合型、包裹型的复杂纳米粒子 相似文献
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基坑稳定性是保证地下结构施工安全的前提保障。深基坑围护结构稳定性保障措施中,拉锚加劲桩支撑是一种常用技术措施。文章就深基坑围护结构拉锚加劲桩支撑在天津市高新区软件及服务外包基地综合配套居住区11R地块项目的创新应用进行阐述。 相似文献
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以导电玻璃(ITO)为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明:在沉积电压1.7V、沉积温度30℃、沉积时间7min、硫脲用量为1mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.8684V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84eV;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100nm,长度为3~6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的(120)、(200)和(211)晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。 相似文献