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1.
GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
2.
本文基于热力学平衡计算,首次给出以DMZn和H2Se为源,MOVPE生长ZnSe的相图.文中讨论了ZnSe单一凝聚相区的范围,以及可能出现ZnSe(s)+Zn(s)或ZnSe(s)+Se(l)两种双凝聚相区的条件. 相似文献
3.
4.
提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了NH3的分解效率,并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程.计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响.计算表明,几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中,而In则富集在气相.为增强铟的并入,应采用低的生长温度,高的Ⅴ/Ⅲ比,氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解. 相似文献
5.
目前,已开发出不自燃的铝、镓、铟金属有机化合物,并已安全用于金属有机汽相外延工艺(MOVPE),用以制备Ⅲ—Ⅴ族半导体材料。这些化合物是以分子间或分子内配位饱和形式存在的,利用改变分子结构的方法很容易调节物理性质。得到了室温下是液体的新源,并已证明适合与一般的V族有机源一起使用,也可以与新型的V族有机源一起使用。讨论了这些MO源的合成与外延。 相似文献
6.
本文比较了具有旁路PCl_3注入的In-PCl_3-H_2(液态源)和InP-PCl_3-H_2(固态源)系统.计算中除引入流动效率和反应效率来计入源区反应的不完全性外,对液态源还引入磷的通过效率α来修正铟对气相中磷的吸收.计算表明这二个系统的主要差别是气相中Ⅲ/Ⅴ比值不同.计算结果支持主要淀积反应可能是 InCl+PH_3= InP + HCl+H_2的假设,并且预计固态源系统生长速度的重现性仅略优于液态源系统. 相似文献
7.
8.
本文对MOCVD生长Hg1-xCdxTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方面表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几乎纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP 相似文献
9.
10.
Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN 总被引:1,自引:0,他引:1
Group - nitrides are very importantmaterials,which are applied to the fabrication ofgreen,blue and ultraviolet light emitting diodes(L EDs) and laser diodes(L Ds) [1 ] .Inx Al1 - xN alloy is a kind of promising material for Ga N- based... 相似文献