一种新型的双极功率器件—BST

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。     

浅谈建筑企业消防安全管理中存在的问题及对策

保持良好的消防环境,减少火灾事故发生的频率,对建筑企业的生存发展是非常重要的。本文首先概述了建筑企业消防安全管理的重要性,然后分析了建筑企业消防安全管理工作中存在的主要问题,最后详细阐述了加强建筑企业消防安全管理的对策。     

三重扩散型IGBT的计算机模拟分析

本文根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种适合我国国情的制作ＩＧＢＴ的工艺方法─—三重扩散法，着重用器件模拟的方法，从理论上分析了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优势和切实可行性，并用实验的结果验证了其正确性．     

一种高频高压双极性功率器件的研究

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。     

大面积VDMOSFET的设计与工艺研究

本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究,通过采用氯化氢干氧氧化和双层介质栅成功地解决了大面积栅穿问题,采用多层复合介质解决了绝缘介质中的缺陷和台阶覆盖造成栅源穿通的问题,将氢氧合成氧化和SIPOS工艺运用于VDMOSFEF制造工艺中,成功地研制开发了50～500V,1～50AVDMOSFET,使器件芯片面积达到6×6mm~2,集成元胞24635个。     

平安城市:为城市发展保驾护航

"平安城市"是秦皇岛"智慧城市"建设项目之一,通过新建、扩建、整合、改造、升级和业务集成等途径,对全市的高清监控点位进行全面建设和升级改造,建立起全市多角度、深层次、全方位的监控联网体系,实现可纵向贯通、横向集成,跨县区、跨部门互联互通、信息共享,推进科技防范社会化运营服务工作,加强对社会报警和视频资源的管理,提高了社会治安科技防范效能和快速反应能力,并为处置突发事件提供了有效的远程服务,为秦皇岛的城市发展保驾护航。目前秦皇岛"平安城市"一期工程已基本竣     

IGBT的静态特性解析模型

本文提出了一个包含闩锁效应在内的ＩＧＢＴ的静态解析模型，由该模型可清楚地从器件物理角度分析ＩＧＢＴ的静态参数，为改善ＩＧＢＴ的静态特性和进行ＩＧＢＴ的优化设计提供了理论依据。     

汽油液雾与低体积分数甲烷混合物爆炸特征研究

为了研究少量汽油液雾对低体积分数甲烷爆炸特征的影响,利用20 L球形爆炸测试装置,研究了1、2 mL汽油的液雾单独与空气混合的爆炸情况。通过改变甲烷体积分数,研究了甲烷分别与1、2 mL汽油的液雾混合后的爆炸特征,分析了汽油添加量对整个体系的爆炸下限影响。结果表明,汽油对甲烷-空气混合物爆炸影响非常显著,添加量分别为2、2.5、3 mL时,pmax分别是0.11、0.79、0.82 MPa,相应的（dp/dt）max分别是10.57、32.52、108.53 MPa/s。甲烷体积分数为6%时,汽油添加量为2 mL时,pmax是1.01 MPa,比添加1 mL汽油时增大31%,比未添加汽油时增大了320%。甲烷和汽油液雾混合后,其混合体系的爆炸下限低于各自在空气中的爆炸下限。1 mL汽油与空气混合物不发生爆炸,与体积分数≥3.5%的甲烷混合后能够发生爆炸。2 mL汽油与体积分数≥0.3%的甲烷混合,该体系依然能够发生爆炸。研究结果能够为封闭和半封闭空间中泄漏燃气与其他可燃性液体蒸气混合物的爆炸及预防提供数据支撑。     

一种具有自保护功能的MOS型电子镇流器

<正> 电子镇流器和工频电感镇流器相比,具有节电显著、发光效率高、无频闪、无噪声、重量轻、体积小等优点。而功率MOS 器件和功率双极晶体管相比,由于其具有微功耗驱动、开关速度快、工作频率高、安