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1.
2.
LIPS-300多模式离子推力器中和器优化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
中和器与束流的兼容性是影响多模式离子推力器长寿命的关键因素之一,在整个寿命周期内,中和器必须工作在斑状模式。采用数值仿真与实验方法,对LIPS-300离子推力器5 k W工况束流全中和状态下束流区电势分布进行了仿真分析,研究了推力器5 k W工况下中和器供给流率变化对其触持极电参数的影响,分别对推力器工作在5 k W、4 k W和3 k W时,中和器触持极电参数随氙气流率的变化关系进行了测试和分析,提出了多模式推力器中和器流率的最佳选择建议。研究成果对后续多模式离子推力器参数优化具有一定参考。 相似文献
3.
4.
一种简单的基于隐私保护的关联规则挖掘方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高对隐私数据的保护程度和挖掘结果的准确性,提出一种有效的隐私保护关联规则挖掘方法。针对关联规则挖掘中需预先给出最小支持度和最小置信度这一条件,提出了一种简单的事务数据库中事务的处理方法,即隐藏那些包含敏感项目的关联规则的方法,对相关事务作处理,达到隐藏包含敏感项目的关联规则的目的。理论分析和实验结果均表明,基于事务处理的隐私保护关联规则挖掘方法具有很好的隐私性、简单性和适用性。 相似文献
5.
采后剪柄和伤口密封对青辣椒冷藏品质变化的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究青辣椒采后剪柄和伤口密封情况对其冷藏品质的影响,对其进行不剪柄、留2cm柄和不留柄以及柄处伤口密封和不密封处理,青辣椒处理后放于8℃,相对湿度95%左右的环境下冷藏,观察和测定其腐烂指数、质量损失、VC含量和MDA含量的变化情况。结果表明,剪柄后若不处理伤口,会增加辣椒的腐烂指数,柄越短腐烂指数越高;辣椒柄越长质量损失越大;无柄辣椒的VC含量最高,对照组次之,2cm柄辣椒的VC含量最低。密封伤口降低了青辣椒的腐烂指数,且无柄密封组和2cm密封组的效果较显著;剪柄后再密封,辣椒的质量损失无差异;伤口密封抑制了果实中VC含量的下降,贮藏后期效果更明显。从18d开始,2cm柄密封组和无柄密封组MDA含量显著低于对照组。 相似文献
6.
随着我国城市化进程的不断加快及社会大众对生活品质需求的不断提升,城市滨水区景观艺术设计已转变成城市规划设计中至关重要的一项要素.城市滨水区景观艺术设计主要目的在于为人们带来良好的视觉享受及空间体验,如何建立起规划设计与生态环境之间的协调平衡,如何利用现有水体资源、开发潜在资源,营造兼具功能性、美观性的滨水景观风貌,无不... 相似文献
7.
以亚氨基二乙酸为原料,经氨基保护、缩合、脱保护三步反应制备了树枝状化合物N,N-二{羰基亚甲基[N,N-二(乙氧基羰基亚甲基)胺基]}胺(EDMAA)。氨基保护反应中,亚氨基二乙酸在V(1,4-二氧六环):V(水)=1:1的碱性溶剂系统中与(Boc)_2O反应制得2,2′-((叔丁氧羰基)亚氨基)二乙酸(BCIA),收率73.8%。在羧酸与氨的缩合反应中,以二环己基碳二亚胺(DCC)为缩合剂,4-二甲胺基吡啶(DMAP)为催化剂,投料比为:n(BCIA):n(DCC):n(亚氨基二乙酸二乙酯):n(DMAP)=1:3:4:0.1,收率为69.1%。缩合反应时,羧酸BCIA与DCC先于0℃缩合0.5~1 h,再加入亚氨基二乙酸二乙酯,可减少副反应。探讨了Boc脱保护反应条件,发现Ph_2O体系收率较高,达95.0%,反应结束后,以石油醚洗涤溶液即可得到产物。以~1H NMR、(13)C NMR和IR表征了产物结构。 相似文献
8.
耐高温钻井液降黏剂St/AMPS/AA的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
以苯乙烯与2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸和丙烯酸为原料,DMF(N,N-二甲基甲酰胺)为溶剂,引发剂BPO(过氧化苯甲酰)用量为1.0%,溶液共聚温度为85℃,反应时间为4 h,合成了St/AMPS/AA共聚物钻井液降黏剂。室内实验表明,加入0.5%该共聚物后,淡水钻井液在常温下的表观黏度由28.8 mPa.s降至23.4mPa.s,降黏率为58.3%;在260℃老化16 h后表观黏度由37.1 mPa.s降至6.8 mPa.s,降黏率为76.8%,该剂用作抗高温降黏剂在淡水钻井液中具有良好的耐温性和降黏效果。 相似文献
9.
采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。 相似文献
10.