一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围作用下,具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比.     

一种DC-DC芯片内建可测性设计

DC-DC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制，有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难. 文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法，在芯片内部设计时只需要增加规模较小的测试电路，就可以在芯片外引脚上测量芯片内部众多的参数.     

采用电荷泵箝位调整器的BUCK型DC-DC驱动电路

为了提高驱动效率,设计了一种新颖的适用于BUCK型DC-DC的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵和自适应死区时间控制逻辑的驱动电路。当芯片正常工作时,输出级低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,输出级高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达29.93V,从而实现对DC-DC输出级高端和低端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求。采用此电路的一款电流模BUCK型DC-DC已在UMC06μmBCD工艺线投片,芯片效率高达94%,输出级高端和低端LDNMOS的导通电阻为120mΩ,最大输出电流为5A,该驱动电路工作良好,芯片面积减小了15.4%。     

自适应开启时间的电流模Buck控制器

设计了一种基于自适应开启时间（Adaptive On-Time, AOT）控制的电流模buck型DC-DC控制器电路,利用输入电压前馈和输出电压反馈技术来获得开启时间,并提出了一种采样保持和充电时间超前电路实现了开启时间的自适应控制。电流模AOT控制不仅获得了优异的瞬态响应速度,而且克服了电压模开启时间控制的环路稳定性对输出电压纹波的依赖。电流模AOT控制无固定频率峰值电流控制中的亚谐波振荡问题,不需要斜坡补偿。自动跳跃式（Auto-Skip）脉冲频率调制（Pulse Frequency Modulation, PFM）模式有效地改善了轻负载下的转换效率。芯片采用UMC 0.6-μm BCD工艺投片验证,文章最后给出了详细的测试结果。     

一种消除失调的开关电容带隙基准电路

 本文介绍了一种基于开关电容的带隙基准芯片电路.本文巧妙地利用电容和开关的模拟电阻,实现了静态电流小,温度系数好的开关型基准电压.同时运用自动调零技术,克服了线性基准的失调缺陷,消除了运放的失调电压,提高了输出电压的失调精度.电路在0.5μm VIS CMOS工艺下实现,温度系数29×10^-6V/℃,20mV输入失调电压下的电压漂移仅为0.4mV.     

一种用于低压Boost型DC-DC转换器的启动电路

提出了一种适用于低输入电压Boost型DC-DC转换器的启动电路．该电路先通过开环工作使DC-DC芯片启动,再采用从输出端取电方式来提供电源让芯片正常工作,它的最小启动电压可达1.5V,电源引脚工作电流极小．此电路已在UMC 0.6μm BCD工艺线上投片验证,测试结果表明芯片可以在大于或等于1.5V的输入电压下进行启动并正常工作,电源引脚静态电流仅为18μA,在1.5V转7V的应用条件下,电感峰值电流达2A．     

一种温度不敏感频率范围宽的三角波振荡器

本文介绍了一种由双比较器型施密特触发器构成的三角波振荡器电路,它通过对电容恒流充放电产生对称三角波;此电路的优点是其产生的三角波的频率稳定且具有很高的精度,并对温度和电源的变化不敏感;文章最后给出了电路的Hspice仿真结果。     

一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.     

采用动态环路调整的多模式低纹波低纹波电荷泵的设计

In order to improve efficiency and reduce the output ripple, a novel multi-mode charge pump is presented. The proposed charge pump includes dual-loop regulation topology-skip and linear modes. It consumes low quiescent current in skip mode for light loads, and produces low ripple in linear mode for heavy loads, which closes the gap between linear mode and skip mode with active regulation; a multi-mode charge pump employing the technique has been implemented in the UMC 0.6-μm-BCD process. The results indicate that the charge pump works well and effectively; it has low ripple with special regulation, and minimizes the size of the capacitance, then decreases the area of the PCB board. The adjustable output of the positive charge pump is 10-30 V, and the maximum output ripple is 100 mV when the load current is 200 mA. The line regulation is 0.2%/V, and load regulation is 0.075%.     

采用二次曲线校正的CMOS带隙基准

利用MOS管饱和电流对于"过驱动电压"的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5 μm CMOS工艺,在-40～120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10-6/℃减小到4.5×10-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12 μA,输出基准电压可在0～1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性.