碳化硅-二硼化钛复合材料烧结工艺研究

采用无压烧结工艺,研究不同烧结温度和不同烧结助剂含量的碳化硅-二硼化钛复合陶瓷的固相烧结机理及其对复合陶瓷致密化的影响。研究结果表明:当B含量在0.4～2%变化时,烧结密度随B含量增加一直下降,在B含量为0.4%时烧结密度最大;当C含量在2～4%变化时,烧结密度随C含量增加而增加,在3%时达到最大值后又下降。在烧结温度约为2180℃时,碳化硅-二硼化钛复合陶瓷有最大的密度。     

SHS法合成TiB2-TiC复合材料

TiB2-TiC复合陶瓷具有熔点高、硬度大、耐腐蚀、导电性好等优点，是目前正在开发并具有广泛应用前景的新型复相陶瓷材料．用SHS法合成TiB2-TiC复合材料，TiB2和TiC在化学反应进行过程中同时生成，并可形成低共熔物，两相之间相互镶嵌，无截然的分界，且TiB2和TiC两相之间不发生强烈的化学反应，热膨胀系数和弹性模量相匹配，满足复相陶瓷的设计要求．通过实验对SHS法合成TiB2-TiC工艺进行了研究，并探讨了原材料粒度、坯体相对密度、化学计量配比等因素对反应温度、反应速度及产物密度的影响规律．实验表明：当Ti和B4C反应按化学计量配比进行时．反应产物只有TiB2和TiC两相．     

碳化硅-二硼化钛复合陶瓷性能研究

采用无压烧结,利用小分子的B、C作为烧结助剂在2180℃获得了相对密度为96％的SiC—TiB2复合材料,XRD分析显示在烧结过程中无新相产生,从烧结体的显微形貌可以看出,在烧结过程中有包晶现象,SiC颗粒有明显长大趋势．大的晶粒存在使烧结体的力学性能降低,主要表现为抗弯强度和断裂韧性不高,分别只有158．6MPa和2．85MPa·m^1/2．