新型螺旋式浓硝酸漂白塔及其应用

针对传统的帽罩式浓硝酸漂白塔存在的缺点和不足，找出原因并予以改进，开发研制出螺旋式浓硝酸漂白塔，改进了工艺状况，减少了维修工作量，达到了节能降耗的目的，确保了直接法浓硝酸装置的长周期运行。     

加强实践教学环节突出高职教育特色

实践教学环节是高职院实现高职培养目标的主体教学之一 ,它的成功与否是高职院能否真正办出成效、办出特色的关键。本文从实践教学体系的建立、教学方法的改革等几个方面阐述了高职院应如何进行实践教学的改革。     

Se及Cu2Se纳米线的大面积合成及其纳米电子学器件性能

通过液相化学反应制备了高质硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了CuzSe纳米线.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征.结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面.结合先进的光刻技术及磁控溅射,成功制备了Se和Cu2Se纳米电子学器件.初步测试表明,这种Se纳米线为P型半导体,而Cu2Se纳米线则表现出明显的相变行为.这些发现有利于开发纳米线场效应晶体管以及相变存储器件方面的应用.     

基于AD9954的单斜率线性调频连续波

通过对直接数字式频率合成器(DDS) AD9954合成单斜率线性扫频信号进行频谱分析,推导出当扫频控制信号周期参数设置不同时的线扫步进频率△ƒ与对应频谱分辨率△ƒ’的关系,通过实验验证了理论推导。并推导出线性调频连续波雷达的距离公式,与经典的模糊函数中距离分辨率公式进行了比较,找出了DDS中影响距离分辨率的参数。     

基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14～18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB（±0.2 dB）,噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。     

GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究

讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。     

基于90 nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18~100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18~100 GHz,带宽内变频损耗为(4±1)dB,端口隔离度优于15 dB,45 GHz处1 dB压缩点输入功率为4 dBm,芯片面积仅为0.36 mm2。该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能,非常适合用在低功耗的通信系统当中。     

仿真软件Proteus在《数子电路应用》课程教学中的应用

根据Proteus仿真软件在《数字电路应用》课程教学中的实践,详细阐述了Proteus仿真软件在理论教学、实践教学中的作用和辅助教学的方法。     

第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明：合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴四[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别翻备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件（FET）。对器件测试的结果显示：硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30．7,70cm^2V^-11s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。